MSC010SDA170B

Microchip Technology
494-MSC010SDA170B
MSC010SDA170B

제조업체:

설명:
SiC 쇼트키 다이오드 UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD
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데이터시트:
ECAD 모델:
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단가:
₩-
합계:
₩-
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가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩13,068.4 ₩13,068
₩12,047.2 ₩361,416
₩10,478.4 ₩1,257,408

제품 속성 속성 값 속성 선택
Microchip
제품 카테고리: SiC 쇼트키 다이오드
RoHS:  
Through Hole
TO-247-2
Single
10 A
1.7 kV
1.5 V
90 A
200 uA
- 55 C
+ 175 C
MSC0
Tube
브랜드: Microchip Technology
COA(최종 조립 국가): Not Available
COD(확산 공정 국가): US
COO(원산지): PH
제품 유형: SiC Schottky Diodes
팩토리 팩 수량: 30
하위 범주: Diodes & Rectifiers
Vr - 역 전압: 1.7 kV
단위 중량: 13.047 g
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

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KRHTS:
8541109000
CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
JPHTS:
854110090
TARIC:
8541100000
MXHTS:
8541100199
BRHTS:
85411099
ECCN:
EAR99

SiC 쇼트키 배리어 다이오드

Microsemi / Microchip SiC SBD(쇼트키 배리어 다이오드)는 종래의 실리콘 전력 다이오드보다 우수한 동적 성능과 및 열성능을 제공합니다. SiC(탄화규소) 배리어 다이오드는 규소(Si)와 탄소(C)로 구성됩니다. SiC 장치는 규소만으로 제작된 장치에 비해 훨씬 더 큰 절연 파괴 전계 강도, 더 높은 밴드갭 및 더 높은 열전도성을 제공합니다. SiC 쇼트키 다이오드는 순방향 및 역방향 회복 전하가 0인 점이 특징으로, 다이오드 스위칭 손실을 줄여줍니다. 또한, 이 장치는 온도에 독립적인 스위칭을 제공하여 안정적인 고온 성능을 보장합니다.

탄화 규소(SiC) 반도체

Microchip Technology 탄화 규소(SiC) 반도체는 산업, 의료, 군사/항공우주, 항공 및 통신 시장 부문을 포괄하는 제품에서 시스템 효율성, 더 작은 폼 팩터 및 더 높은 작동 온도를 개선하려는 전력 전자 설계자를 위한 혁신적인 옵션입니다. 마이크로칩의 차세대 SiC MOSFET 및 SiC SBD(SCHOTTKY 배리어 다이오드)는 높은 반복성 UIS(무클램핑 유도 스위칭) 성능으로 설계되었으며, 이의 SiC MOSFET은 약 10J/cm2 ~15J/cm2 의 높은 UIS 성능 및 3 ms~5 ms의 강력한 단락 보호 기능을 유지합니다. Microchip Technology SiC SBD는 낮은 역전류에서 평형 서지 전류, 순방향 전압, 열 저항 및 열 정격 정전용량으로 설계되어 스위칭 손실을 낮춥니다. 또한 SiC MOSFET과 SiC SBD를 함께 결합하여 모듈에 사용할 수 있습니다.

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