AT24CS04-XHM-T

Microchip Technology
556-AT24CS04-XHM-T
AT24CS04-XHM-T

제조업체:

설명:
EEPROM 4-Kbit Serial EEPROM

ECAD 모델:
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재고 상태: 13,887

재고:
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공장 리드 타임:
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최소: 1   배수: 1
단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:

가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩473.6 ₩474
₩458.8 ₩11,470
₩455.8 ₩45,580
₩447 ₩447,000
전체 릴(5000의 배수로 주문)
₩442.5 ₩2,212,500

대체 포장

제조업체 부품 번호:
포장:
Tube
구매 가능 정보:
재고 상태
가격:
₩503
최소:
1

제품 속성 속성 값 속성 선택
Microchip
제품 카테고리: EEPROM
RoHS:  
4 kbit
2-Wire, I2C
1 MHz
512 x 8
TSSOP-8
550 ns
1.7 V
5.5 V
SMD/SMT
100 Year
- 40 C
+ 85 C
Reel
Cut Tape
능동 읽기 전류 - 최대: 3 mA
브랜드: Microchip Technology
ACO(최종 조립 국가): Not Available
COD(확산 공정 국가): Not Available
COO(원산지): PH
작동 공급 전압: 1.7 V to 5.5 V
제품 유형: EEPROM
팩토리 팩 수량: 5000
하위 범주: Memory & Data Storage
공급 전류 - 최대: 3 mA
단위 중량: 158 mg
제품을 찾음:
유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.
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속성 선택됨: 0

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KRHTS:
8542321090
CNHTS:
8542329090
CAHTS:
8542320040
USHTS:
8542320051
JPHTS:
854232039
TARIC:
8542327500
MXHTS:
8542320201
ECCN:
EAR99

AT24CS01/02/04/08 I2C 호환 직렬 EEPROM

Microchip AT24CS01/02/04/08 I2C 호환 직렬 EEPROM은 각각 128/256/512/1024워드의 8비트로 구성된 1024/2048/4096/8192비트의 EEPROM을 제공합니다. 이 장치는 저전력 및 저전압 작동이 필수적인 수많은 산업 및 상업용 애플리케이션에 사용하기에 최적화되어 있습니다. AT24CS01/02/04/08은 공장에서 프로그래밍되어 보장되는 고유의 128비트 일련 번호의 추가 기능을 제공하는 동시에, 1Kb/2Kb/4Kb/8Kb 직렬 EEPROM에서 기존 기능을 모두 사용할 수 있도록 유지합니다. CS 시리즈 직렬 EEPROM을 사용함으로써 제조 라인에서 제품의 진정한 직렬화를 수행하고 보장하기 위해 시간이 많이 소요되는 단계를 생산 흐름에서 제거할 수 있습니다. Microchip 생산 공정 중에 128비트 일련 번호가 프로그래밍되고 앞으로 쓰지 못하게 영구적으로 잠깁니다. 더 나아가, 이 128비트 위치는 1Kb/2Kb/4Kb/8Kb 직렬 EEPROM의 사용자 읽기/쓰기 영역을 전혀 사용하지 않습니다.

I2C (2-wire) Serial EEPROMs

Microchip I2C (2-wire) Serial EEPROMs are compatible byte and page writable Serial EEPROMs designed to provide simple, yet flexible data storage for microcontroller, microprocessor, and SoC solutions. Devices have ultra-high write endurance capabilities allowing for greater than 1 million write cycles to each and every memory location to meet the needs of today’s high write endurance applications. These new devices include a factory-programmed 128-bit serial number which does not consume any of the user read/write area.