PXAE263708NB-V1-R2

MACOM
941-PXAE263708NBV1R2
PXAE263708NB-V1-R2

제조업체:

설명:
RF MOSFET 트랜지스터 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz

데이터시트:
ECAD 모델:
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추가 정보
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단가:
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가격 (KRW)

수량 단가
합계
컷 테이프/MouseReel™ †
₩174,610.4 ₩174,610
₩145,247.2 ₩1,452,472
₩132,297.2 ₩13,229,720
전체 릴(250의 배수로 주문)
₩132,297.2 ₩33,074,300
500 견적
† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

제품 속성 속성 값 속성 선택
MACOM
제품 카테고리: RF MOSFET 트랜지스터
RoHS:  
N-Channel
Si
65 V
80 mOhms
2.62 GHz to 2.69 GHz
13.5 dB
400 W
+ 225 C
Screw Mount
HB2SOF-8-1
Reel
Cut Tape
MouseReel
브랜드: MACOM
COA(최종 조립 국가): Not Available
COD(확산 공정 국가): Not Available
COO(원산지): MY
채널 수: 1 Channel
제품 유형: RF MOSFET Transistors
팩토리 팩 수량: 250
하위 범주: MOSFETs
타입: RF Power MOSFET
Vgs - 게이트 소스 전압: - 6 V to + 10 V
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

데이터시트

PCN

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

5G RF JFET 및 LDMOS FET

MACCOM 5G RF JFET(접합 전계 효과 트랜지스터) 및 LDMOS(측면 확산 금속 산화 반도체) FET는 차세대 무선 전송을 위해 열 성능이 향상된 고전력 트랜지스터입니다. 이 장치는 SiC HEMT(고전자 이동성 트랜지스터) 기술 기반 GaN, 입력 정합, 고효율, 이어리스 플랜지가 있는 열 성능이 강화된 표면 실장 패키지가 특징입니다. MACCOM 5G RF JFET 및 LDMOS FET는 다중 표준 셀룰러 전력 증폭기 애플리케이션에 이상적입니다. 

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