IPP60R160P6

Infineon Technologies
726-IPP60R160P6
IPP60R160P6

제조업체:

설명:
MOSFET HIGH POWER_LEGACY

ECAD 모델:
무료 라이브러리 로더를 다운로드하여 이 파일을 ECAD 도구용으로 변환하십시오. ECAD 모델에 대해 자세히 알아보기

재고 상태: 411

재고:
411 즉시 배송 가능
공장 리드 타임:
12 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.
최소: 1   배수: 1
단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:

가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩5,254 ₩5,254
₩3,418.8 ₩34,188
₩2,619.6 ₩261,960
₩2,175.6 ₩1,087,800
₩1,909.2 ₩1,909,200

제품 속성 속성 값 속성 선택
Infineon
제품 카테고리: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
23.8 A
144 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
44 nC
- 55 C
+ 150 C
176 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
브랜드: Infineon Technologies
구성: Single
ACO(최종 조립 국가): Not Available
COD(확산 공정 국가): Not Available
COO(원산지): MY
하강 시간: 5.8 ns
제품 유형: MOSFETs
상승 시간: 7.6 ns
시리즈: CoolMOS P6
팩토리 팩 수량: 500
하위 범주: Transistors
트랜지스터 타입: 1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간: 40 ns
표준 턴-온 지연 시간: 12.5 ns
부품번호 별칭: SP001017068 IPP60R160P6XKSA1
단위 중량: 2 g
제품을 찾음:
유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.
이 카테고리에 유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.
속성 선택됨: 0

이 기능을 활성화하려면 자바스크립트가 필요합니다.

KRHTS:
8541299000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99