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FS01MR08A8MA2CHPSA1

Name: Infineon FS01MR08A8MA2CHPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FS01MR08A8MA2CHP
Price: 1770644 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

726-FS01MR08A8MA2CHP

제조업체 번호:

FS01MR08A8MA2CHPSA1

제조업체:

Infineon Technologies

설명:

디스크리트 반도체 모듈 HybridPACK Drive G2 module with SiC MOSFET

라이프사이클:

신제품:

이 제조업체의 새로운 제품입니다.

데이터시트:

FS01MR08A8MA2CHPSA1 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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	₩1,770,644.2	₩1,770,644

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Infineon
제품 카테고리:	디스크리트 반도체 모듈
RoHS:
제품:	SiC MOSFET Modules
타입:	Bridge Power Module
기술:	SiC
Vf - 순방향 전압:	4.64 V
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 5 V, + 19 V
장착 스타일:	Press Fit
시리즈:	HybridPACK
포장:	Tray
브랜드:	Infineon Technologies
하강 시간:	53 ns
Id - 연속 드레인 전류:	620 A
제품 유형:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - 드레인 소스 저항:	1.69 mOhms
상승 시간:	108 ns
팩토리 팩 수량:	6
하위 범주:	Discrete and Power Modules
표준 턴-오프 지연 시간:	318 ns
표준 턴-온 지연 시간:	128 ns
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	750 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	3.9 V
부품번호 별칭:	FS01MR08A8MA2C SP006071563

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문서 필터:

데이터시트

FS01MR08A8MA2CHPSA1 데이터시트 (PDF)

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ECCN:: EAR99

HybridPACK™ 드라이브 G2 모듈

Infineon Technologies HybridPACK™드라이브 G2 모듈은 하이브리드 및 전기 자동차 트랙션을 위해 설계된 소형 전력 모듈입니다. Infineon Technologies G2 모듈은 Si 또는 SiC 기술과 다양한 칩셋을 사용하여 확장 가능한 성능 수준을 제공하면서 동일한 모듈 크기를 유지합니다. 2017에 소개된 실리콘 EDT2 기술은 실제 주행의 효율성을 위해 최적화되었습니다. 2021에서 더 높은 셀 밀도와 더 나은 성능을 제공하는 CoolSiC™버전이 출시되었습니다. 2023에서 2세대 HybridPACK Drive G2는 EDT3 (Si IGBT) 및 CoolSiC™G2 MOSFET 기술이 적용되어 센서의 사용 편의성과 통합 옵션을 제공하며,750 V및1 200 V클래스 내에서 최대300 kW성능을 구현할 수 있도록 출시되었습니다.