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FP10R12W1T7BOMA1

Name: Infineon FP10R12W1T7BOMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FP10R12W1T7BOMA1
Price: 53220 KRW
Availability: OutOfStock

Mouser 번호:

726-FP10R12W1T7BOMA1

제조업체 번호:

FP10R12W1T7BOMA1

제조업체:

Infineon Technologies

설명:

IGBT 모듈 EASY

데이터시트:

FP10R12W1T7BOMA1 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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수량	단가	합계
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	₩40,093.2	₩400,932

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Infineon
제품 카테고리:	IGBT 모듈
제품:	IGBT Silicon Modules
구성:	3-Phase Inverter
콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO:	1.2 kV
콜렉터-이미터 포화 전압:	1.6 V
25 C의 지속적인 컬렉터 전류:	10 A
게이트-이미터 누설 전류:	100 nA
최저 작동온도:	- 40 C
최고 작동온도:	+ 175 C
포장:	Tray
브랜드:	Infineon Technologies
COA(최종 조립 국가):	Not Available
COD(확산 공정 국가):	Not Available
COO(원산지):	DE
제품 유형:	IGBT Modules
시리즈:	Trenchstop IGBT7
팩토리 팩 수량:	24
하위 범주:	IGBTs
기술:	Si
상표명:	EasyPIM
부품번호 별칭:	FP10R12W1T7 SP005351582

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문서 필터:

데이터시트

FP10R12W1T7BOMA1 데이터시트 (PDF)

Product Catalogs

CNHTS:: 8504409100
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

1,200 V PIM IGBT 모듈

Infineon 1,200V PIM IGBT 모듈은 최신 마이크로 패턴 트렌치 기술을 기반으로 TRENCHSTOP™ IGBT7 및 EC7 다이오드 기술을 제공합니다. 이 기술은 손실을 상당히 줄이고 높은 수준의 제어 가능성을 제공합니다. 셀 개념은 이전에 사용된 사각 트렌치 셀과 비교하여 서브 미크론 메사로 분리된 병렬 트렌치 셀을 구현하는 것이 특징입니다. 이 칩은 산업용 드라이브 애플리케이션 및 태양광 에너지 시스템에 특별히 최적화되었습니다. 이는 훨씬 더 낮은 정적 손실, 더 높은 전력 밀도 및 더 부드러운 스위칭을 제공한다는 것을 의미합니다. Infineon 1,200V PIM IGBT 모듈에서 허용되는 최대 작동 온도를 최대 175°C까지높이면 전력 밀도를 대폭 높일 수 있습니다.

TRENCHSTOP™ IGBT7 디스크리트 및 모듈

Infineon Technologies TRENCHSTOP™ IGBT7 디스크리트 및 모듈은 가변 속도 드라이브를 위해 설계되었습니다. 모든 산업용 드라이브의 절반이라도 전기 속도 제어가 가능하다면 20%의 에너지 혹은 1700만 톤의 CO₂ 를 절약할 수 있습니다. Infineon은 TRENCHSTOP IGBT7 기술로 이 스위치를 용이하게 합니다.

EasyPIM™ IGBT 모듈

Infineon Technologies EasyPIM™ IGBT 모듈은 TRENCHSTOP™ IGBT7, 이미터 제어 7 다이오드 및 NTC/PressFIT 기술을 사용하는 3상 입력 정류기 PIM IGBT 모듈입니다. 이 모듈은 dv/dt의 향상된 제어 능력, 개선된 FWD 유연성, 최적화된 스위칭 손실, 8μs의 단락 견고성이 특징입니다. EasyPIM(Power Integrated Module)은 크기가 매우 작아 더 높은 전력 밀도를 달성하는 데 도움이됩니다. 이 모듈은 시스템 비용과 손실을 줄여주어 에너지 효율 요구 사항을 충족합니다. 일반적으로 보조 인버터, 에어컨, 서보 모터, HVAC(난방, 환기, 에어컨) 등에 사용됩니다.