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BSC110N06NS3 G

Name: Infineon BSC110N06NS3 G
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BSC110N06NS3G
Price: 2087 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

726-BSC110N06NS3G

제조업체 번호:

BSC110N06NS3 G

제조업체:

Infineon Technologies

설명:

MOSFET N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

데이터시트:

BSC110N06NS3 G 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 84,122

재고:: 84,122 즉시 배송 가능

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공장 리드 타임:: 52 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

포장:

전체 릴(5000의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩2,087.8	₩2,088
	₩1,308.2	₩13,082
	₩868.7	₩86,870
	₩686.2	₩343,100
	₩617.6	₩617,600
	₩566.5	₩1,416,250
전체 릴(5000의 배수로 주문)
	₩509.5	₩2,547,500
	₩493.5	₩4,935,000

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

대체 포장

제조업체 부품 번호:

BSC110N06NS3GATMA1

포장:

Reel, Cut Tape, MouseReel

구매 가능 정보:

재고 상태

가격:

₩628

최소:

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Infineon
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	TDSON-8
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	60 V
Id - 연속 드레인 전류:	50 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	9 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	2 V
Qg - 게이트 전하:	33 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	50 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	OptiMOS
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Infineon Technologies
구성:	Single
하강 시간:	6 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	25 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	77 ns
시리즈:	OptiMOS 3
팩토리 팩 수량:	5000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	14 ns
표준 턴-온 지연 시간:	10 ns
부품번호 별칭:	SP000453668 BSC11N6NS3GXT BSC110N06NS3GATMA1
단위 중량:	100 mg

제품을 찾음:

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

BSC110N06NS3 G 데이터시트 (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

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KRHTS:: 8541299000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Infineon 자동 개방 시스템

Infineon 자동 개방 시스템은 슬라이딩, 스윙 또는 주차장 문, 차양 및 문 자동화를 위한 스마트 센서, 모터 제어, 공급 및 배터리 관리가 결합됩니다. 자동화 되었을 때, 이 문들은 개방 동작, 비의도적인 개방 피하기, 제어 속도 및 토크, 경로를 따라 물체 탐지 및 기타 기능들을 관리합니다.
자세히 알아보기

Infineon OptiMOS™ 3

Infineon's OptiMOS™ 3 40V, 60V, and 80V families reduce power losses up to 30% in a given standard TO package. The low switching losses and on-state resistance of the devices enable an increase in power densities by up to 30% and a reduction in part count for a given application by more than 25%, compared to competitive solutions. The OptiMOS™ 3 devices offer best-in-class RDS(on), achieving an RDS(on) as low as 1.6mΩ for 40V products in SuperSO8™ packages, 3.5mΩ for 60V products in D-PAK packages, and 2.5mΩ for 80V products in D2-PAK packages. The MOSFETs are ideal for a variety of power conversion and management applications, including SMPSs, DC/DC converters, and DC motor drives.

Designing Power Systems

Infineon Power MOSFETs are designed to bring more efficiency and power density to designers' products. The full range of OptiMOS™ and StrongIRFET™ N-channel Power MOSFETs enable innovation and performance in applications such as switch mode power supplies (SMPS), motor control and drives, inverters, and computing. The OptiMOS™ and StrongIRFET™ families cover the 20V to 300V range of Power MOSFET products. Infineon offers the OptiMOS™ and StrongIRFET™ product families. These are two highly innovative families that consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design. OptiMOS™ is the market leader in highly efficient solutions for power generation, power supply, and power consumption.