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BFR380L3E6327XTMA1

Name: Infineon BFR380L3E6327XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BFR380L3E6327XTM
Price: 452 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

726-BFR380L3E6327XTM

제조업체 번호:

BFR380L3E6327XTMA1

제조업체:

Infineon Technologies

설명:

RF 양극성 트랜지스터 NPN Silicon RF TRANSISTOR

데이터시트:

BFR380L3E6327XTMA1 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 38,495

재고:: 38,495 즉시 배송 가능

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공장 리드 타임:: 8 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

포장:

전체 릴(15000의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩452.6	₩453
	₩273	₩2,730
	₩217.5	₩21,750
	₩205.9	₩102,950
	₩197.1	₩197,100
	₩188.3	₩470,750
	₩182.5	₩912,500
전체 릴(15000의 배수로 주문)
	₩163.5	₩2,452,500

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

대체 포장

제조업체 부품 번호:

BFR 380L3 E6327

포장:

Reel, Cut Tape, MouseReel

구매 가능 정보:

재고 상태

가격:

₩978

최소:

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Infineon
제품 카테고리:	RF 양극성 트랜지스터
RoHS:
시리즈:	BFR380L3
트랜지스터 타입:	Bipolar
기술:	Si
트랜지스터 극성:	NPN
작동 주파수:	14 GHz
DC 컬렉터/베이스 게인 hfe Min:	90
콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO:	6 V
이미터-베이스 전압 VEBO:	2 V
연속 콜렉터 전류:	80 mA
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
구성:	Single
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	TSLP-3
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Infineon Technologies
최대 DC 콜렉터 전류:	80 mA
Pd - 전력 발산:	380 mW
제품 유형:	RF Bipolar Transistors
팩토리 팩 수량:	15000
하위 범주:	Transistors
부품번호 별칭:	BFR 380L3 E6327 SP000013562
단위 중량:	0.550 mg

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

BFR380L3E6327XTMA1 데이터시트 (PDF)

Models

Other

Packaging:PG-TSLP-3-1 | BFR380L3E6327XTMA1 (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

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KRHTS:: 8541219000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210075
JPHTS:: 8541290100
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

RF Transistors

Infineon RF Transistors include Low Noise Amplifiers and High Linearity Transistors. Devices in the Low Noise category are based on silicon bipolar technology. Moderate transition frequency of fT <20 GHz provides ease of use and stability. Breakdown voltage can safely support supply voltage of 5V. These transistors are suitable for use with AM over VHF/UHF up to 14GHz. High Linearity Transistors provide OIP3 (Output 3rd Order Intercept Point) above 29dBm. They are based on Infineon's high volume silicon bipolar and SiGe:C technologies for best in class noise figures. These devices are ideal for drivers, pre-amplifiers, and buffer amplifiers.

IoT 애플리케이션용 RF 솔루션

Infineon Technologies RF 솔루션 포트폴리오는 IoT 애플리케이션에서 안정적인 무선 연결을 위한 고성능 RF 기술 제품을 제공합니다. IoT 장치의 수는 놀라운 속도로 증가하고 있습니다. 동시에 고객은 제품 설계와 기능 면에서 우수한 사용자 경험을 기대할 수 있습니다.