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1ED3323MC12NXUMA1

Name: Infineon 1ED3323MC12NXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-1ED3323MC12NXUMA
Price: 4925 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

726-1ED3323MC12NXUMA

제조업체 번호:

1ED3323MC12NXUMA1

제조업체:

Infineon Technologies

설명:

게이트 드라이버 ISOLATED DRIVER

데이터시트:

1ED3323MC12NXUMA1 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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최소: 1 배수: 1

수량 입력:

단가:

₩-

합계:

₩-

포장:

전체 릴(1000의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩4,925.1	₩4,925
	₩3,712.6	₩37,126
	₩3,398.2	₩84,955
	₩3,068.9	₩306,890
	₩2,904.2	₩726,050
	₩2,799.4	₩1,399,700
전체 릴(1000의 배수로 주문)
	₩2,694.6	₩2,694,600
	₩2,589.8	₩5,179,600
	₩2,529.9	₩12,649,500

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Infineon
제품 카테고리:	게이트 드라이버
RoHS:
제품:	Isolated Gate Drivers
타입:	High-Side
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	DSO-16
드라이버 수:	1 Driver
출력 수:	1 Output
출력 전류:	8.5 A
공급 전압 - 최소:	2.5 V
공급 전압 - 최대:	5.5 V
구성:	Inverting, Non-Inverting
상승 시간:	530 ns
하강 시간:	370 ns
최저 작동온도:	- 40 C
최고 작동온도:	+ 125 C
시리즈:	Enhanced F3 family
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Infineon Technologies
로직 타입:	CMOS
최대 턴-오프 지연 시간:	92 ns
최대 턴-온 지연 시간:	84 ns
습도에 민감:	Yes
작동 공급 전류:	1.1 mA
출력 전압:	35 V
Pd - 전력 발산:	810 mW
제품 유형:	Gate Drivers
전파 지연 - 최대:	15 ns
Rds On - 드레인 소스 저항:	2.35 Ohms
차단:	Shutdown
팩토리 팩 수량:	1000
하위 범주:	PMIC - Power Management ICs
기술:	Si
상표명:	EiceDRIVER
부품번호 별칭:	1ED3323MC12N SP005433361

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

1ED3323MC12NXUMA1 데이터시트 (PDF)

CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390060
ECCN:: EAR99

EiceDRIVER™ 강화 F3 제품군

Infineon Technologies EiceDRIVER ™ 강화 F3 제품군(1ED332x)은 300mil DSO-16 패키지로 제공되는 8.5A 단일 채널 절연 드라이버입니다. 1ED332xMC12N 제품군은 소프트 오프 및 하드 오프 오류 턴 오프, IGBT 및 SiC UVLO(부족전압 록아웃) 설정, 두 가지 다른 출력 전류 강도 및 두 가지 다른 출력 구성을 포함하여 시장을 처리하기 위한 기능을 제공합니다. 이 F3 제품군은 SiC MOSFET 단락 보호를 위한 탁월한 솔루션입니다.

EiceDRIVER™ 강화 절연 게이트 드라이버 IC

Infineon Technologies EiceDRIVER™ 강화 절연 게이트 드라이버 IC는 DESAT, 밀러 클램프, MOSFET용 소프트 오프, IGBT 및 SiC MOSFET과 같은 보호 기능을 제공합니다. 이러한 절연 드라이버는 CT(코어리스 변압기) 기술를 기반으로 하며, 300kV/μs에 이르는 세계적 수준의 CMTI(공통 모드 과도응답 내성)를 가능하게 합니다. 밀러 클램프 및 정확한 단락 보호(DESAT)는 CoolSiC™ SiC MOSFET 및 TRENCHSTOP™ IGBT7을 구동할 때 기생 턴온 및 단락을 방지하여 우수한 애플리케이션 안정성을 제공합니다. EiceDRIVER™ 절연 드라이버는 최대 9A의 구동 능력을 제공하므로, 부스터 솔루션이 필요 없습니다. 이 단일 채널 및 2채널 게이트 드라이버 IC는 X3 아날로그 제품군(1ED34xx) 및 X3 디지털 제품군 게이트 드라이버 IC로 제공됩니다. 1ED34xx 및 1ED38xx 게이트 드라이버 IC는 연면거리가 8mm인 공간 절약형 DS0-16 미세 피치 와이드 바디 패키지에서 9A 출력 전류와 40V_최대 출력 전압을 제공합니다. 이 IC는 단락 클램핑 및 액티브 차단 기능을 갖추고 있으며 1500V DC 태양광 인버터 애플리케이션을 위한 최고의 절연 기능을 제공합니다.

EiceDRIVER™ 게이트 드라이버 IC

Infineon EiceDRIVER™ 게이트 드라이버 IC는 MOSFET, IGBT, SiC MOSFET 및 GaN HEMT 장치용으로 설계되었습니다. EiceDRIVERTM™ 게이트 드라이버는 0.1A에서 최대 10A까지 광범위한 일반 출력 전류 옵션을 제공합니다. 이 장치는 DESAT(빠른 단락 보호), 능동 밀러 클램프, 슛스루 보호, 결함, 셧다운 및 과전류 보호와 같은 강력한 게이트 드라이브 보호 기능을 갖추고 있습니다. 이러한 특징 덕분에 이 드라이버 IC는 CoolGaN™ 및 CoolSiC™ 를 포함한 실리콘 및 와이드 밴드갭 전원 장치 모두에 매우 적합합니다. 이것이 바로 Infineon이 모든 전원 스위치와 모든 애플리케이션에 적합한 500개 이상의 EiceDRIVER™ 게이트 드라이버 IC 솔루션을 제공하는 이유입니다.