IXTP3N50D2

Name: IXYS IXTP3N50D2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTP3N50D2
Price: 8036 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

747-IXTP3N50D2

제조업체 번호:

IXTP3N50D2

제조업체:

IXYS

설명:

MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A

데이터시트:

IXTP3N50D2 데이터시트

ECAD 모델:

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	₩8,036.4	₩8,036
	₩4,306.8	₩43,068
	₩3,907.2	₩390,720
	₩3,256	₩1,628,000
	₩3,093.2	₩3,093,200

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	IXYS
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	Through Hole
패키지/케이스:	TO-220-3
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	500 V
Id - 연속 드레인 전류:	3 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	1.5 Ohms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	4.5 V
Qg - 게이트 전하:	40 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	125 W
채널 모드:	Depletion
포장:	Tube
브랜드:	IXYS
구성:	Single
ACO(최종 조립 국가):	Not Available
COD(확산 공정 국가):	Not Available
COO(원산지):	KR
하강 시간:	42 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	1.3 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	71 ns
시리즈:	IXTP3N50
팩토리 팩 수량:	50
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	56 ns
표준 턴-온 지연 시간:	27 ns
단위 중량:	2 g

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541900000
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MXHTS:: 8541900299
ECCN:: EAR99

D2 시리즈 N-채널 감손 모드 전력 MOSFET

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