IXTP230N04T4

Name: IXYS IXTP230N04T4
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTP230N04T4
Price: 7281 KRW
Availability: OutOfStock

이미지는 참조용으로만 사용하십시오
제품 사양을 참조하세요

Mouser 번호:

747-IXTP230N04T4

제조업체 번호:

IXTP230N04T4

제조업체:

IXYS

설명:

MOSFET Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-220AB/FP

데이터시트:

IXTP230N04T4 데이터시트

ECAD 모델:

무료 라이브러리 로더를 다운로드하여 이 파일을 ECAD 도구용으로 변환하십시오. ECAD 모델에 대해 자세히 알아보기

추가 정보

IXYS IXTP230N04T4에 대해 자세히 알아보십시오.

구매 가능 정보

재고:: 재고 없음

예기치 않은 오류가 발생했습니다. 나중에 다시 시도하십시오.
공장 리드 타임:: 배송 견적 요청

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩7,281.6	₩7,282
	₩4,824.8	₩48,248
	₩3,759.2	₩375,920
	₩3,344.8	₩1,672,400
	₩2,945.2	₩2,945,200

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	IXYS
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	Through Hole
패키지/케이스:	TO-220-3
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	40 V
Id - 연속 드레인 전류:	230 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	2.9 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 15 V, 15 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	2 V
Qg - 게이트 전하:	140 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	340 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	HiPerFET
포장:	Tube
브랜드:	IXYS
구성:	Single
COA(최종 조립 국가):	Not Available
COD(확산 공정 국가):	Not Available
COO(원산지):	KR
하강 시간:	82 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	100 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	143 ns
팩토리 팩 수량:	50
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	85 ns
표준 턴-온 지연 시간:	40 ns
단위 중량:	2 g

제품을 찾음:

유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

이 카테고리에 유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

IXTP230N04T4 데이터시트

이 기능을 활성화하려면 자바스크립트가 필요합니다.

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

40V TrenchT4 전력 MOSFET

IXYS 40V TrenchT4 전력 MOSFET은 국제 표준 패키지 하우징에 장착하기 쉬운 N 채널 강화 MOSFET입니다. TrenchT4는 작동 온도 175°C, 고전류 취급 성능, 아발란체 등급 및 낮은 R_DS(on)을 가집니다. 일반 애플리케이션은 동기식 벅 변환기, 고전류 스위칭 전원 공급 장치, 배터리로 전력이 공급되는 전기 모터 및 더 많은 것을 포함합니다.
자세히 알아보기

전기차 DC 고속 충전기

Littelfuse 전기차(EV) 충전 솔루션에는 오프 보드 DC 고속 충전기가 포함됩니다. 설계자는 Littlefuse EV 충전 솔루션을 통해 EV 충전 장치가 기능적으로 안전하도록 이상적인 솔루션을 선택할 수 있습니다.

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.