IXTH130N10T

Name: IXYS IXTH130N10T
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTH130N10T
Price: 11174 KRW
Availability: OutOfStock

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Mouser 번호:

747-IXTH130N10T

제조업체 번호:

IXTH130N10T

제조업체:

IXYS

설명:

MOSFET 130 Amps 100V 8.5 Rds

데이터시트:

IXTH130N10T 데이터시트

ECAD 모델:

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	IXYS
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	Through Hole
패키지/케이스:	TO-247-3
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	100 V
Id - 연속 드레인 전류:	130 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	8.5 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	2.5 V
Qg - 게이트 전하:	104 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	360 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	HiPerFET
포장:	Tube
브랜드:	IXYS
구성:	Single
ACO(최종 조립 국가):	Not Available
COD(확산 공정 국가):	Not Available
COO(원산지):	KR
하강 시간:	28 ns
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	47 ns
시리즈:	IXTH130N10
팩토리 팩 수량:	30
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	44 ns
표준 턴-온 지연 시간:	30 ns
단위 중량:	6 g

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KRHTS:: 8541299000
CNHTS:: 8541290000
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ECCN:: EAR99

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