IXFR32N100Q3

IXYS
747-IXFR32N100Q3
IXFR32N100Q3

제조업체:

설명:
MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/23A

데이터시트:
ECAD 모델:
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IXYS
제품 카테고리: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
1 kV
23 A
350 mOhms
- 30 V, 30 V
3.5 V
195 nC
- 55 C
+ 150 C
570 W
Enhancement
HiPerFET
Tube
브랜드: IXYS
구성: Single
ACO(최종 조립 국가): Not Available
COD(확산 공정 국가): Not Available
COO(원산지): PH
제품 유형: MOSFETs
상승 시간: 300 ns
시리즈: IXFR32N100
팩토리 팩 수량: 30
하위 범주: Transistors
트랜지스터 타입: 1 N-Channel
단위 중량: 6 g
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데이터시트

PCN

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KRHTS:
8541299000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
TARIC:
8541900000
MXHTS:
8541900299
ECCN:
EAR99

HiPerFET Power MOSFETs

IXYS has expanded the HiPerFET MOSTET family by introducing the Q3-Class products. The new Q3-Class provide up to a 25 percent reduction in on-state resistance, 27 percent reduction in input capacitance, 28 percent reduction in gate chare, 41 percent increase in maximum power dissipation, and up to 50 percent reduction in thermal resistances. These high-current, Polar HT™/HV™ HiPerFET™ power MOSFETs from IXYS are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types. View all .

Q3-클래스 HiperFET™ 전력 MOSFET

IXYS Q3-Class HiPerFET™ 전력 MOSFET은 최종 사용자에게 탁월한 전원 스위칭 성능을 갖춘 광범위 한 장치를 제공합니다. 또한 탁월한 열 특성, 향상된 장치 견고성 및 높은 에너지 효율을 제공합니다. 이 MOSFET은 200~1000V의 드레인-소스 정격 전압과 10~100A의 정격 드레인 전류를 제공합니다. 이러한 특징 덕분에 Q3-Class는 낮은 온 상태 저항(Rdson)과 게이트 전하(Qg)의 최적화된 조합으로 장치의 전도 및 스위칭 손실을 상당히 줄여 줍니다. HiperFET 프로세스를 활용하여 전원 스위칭 기능과 장치 견고성이 더욱 향상되었습니다. 이 프로세스는 고속 진성 정류기를 갖춘 장치를 생성하여 낮은 역회복 전하(Qrr)를 제공하는 동시에 장치의 정류 dv/dt 정격(최대 50V/ns)을 향상시킵니다.

전기차 DC 고속 충전기

Littelfuse 전기차(EV) 충전 솔루션에는 오프 보드 DC 고속 충전기가 포함됩니다. 설계자는 Littlefuse EV 충전 솔루션을 통해 EV 충전 장치가 기능적으로 안전하도록 이상적인 솔루션을 선택할 수 있습니다.

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

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