IXFP7N100P

Name: IXYS IXFP7N100P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFP7N100P
Price: 10672 KRW
Availability: InStock

이미지는 참조용으로만 사용하십시오
제품 사양을 참조하세요

Mouser 번호:

747-IXFP7N100P

제조업체 번호:

IXFP7N100P

제조업체:

IXYS

설명:

MOSFET 7 Amps 1000V

데이터시트:

IXFP7N100P 데이터시트

ECAD 모델:

무료 라이브러리 로더를 다운로드하여 이 파일을 ECAD 도구용으로 변환하십시오. ECAD 모델에 대해 자세히 알아보기

추가 정보

IXYS IXFP7N100P에 대해 자세히 알아보십시오.

재고 상태: 1,345

재고:: 1,345 즉시 배송 가능

예기치 않은 오류가 발생했습니다. 나중에 다시 시도하십시오.
공장 리드 타임:: 27 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩10,672.6	₩10,673
	₩6,511.6	₩65,116
	₩5,606.4	₩560,640
	₩5,066.2	₩2,533,100
	₩4,861.8	₩4,861,800
	₩4,555.2	₩11,388,000

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	IXYS
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	Through Hole
패키지/케이스:	TO-220-3
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	1 kV
Id - 연속 드레인 전류:	7 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	1.9 Ohms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 30 V, 30 V
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	300 W
상표명:	HiPerFET
포장:	Tube
브랜드:	IXYS
구성:	Single
제품 유형:	MOSFETs
시리즈:	IXFP7N100
팩토리 팩 수량:	50
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
단위 중량:	2 g

제품을 찾음:

유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

이 카테고리에 유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

IXFP7N100P 데이터시트

이 기능을 활성화하려면 자바스크립트가 필요합니다.

KRHTS:: 8541299000
CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Polar HiPerFET Power MOSFETs

IXYS Polar™ HiPerFETs Power MOSFETs combine the strengths of the Polar Standard family with a faster body diode. The faster body diode's reverse recovery time (t_rr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply applications (UPS). This family of MOSFETs provides the lowest R_DS(on), low R_thJC, low Q_g, and enhanced dv/dt capability.

전기차 DC 고속 충전기

Littelfuse 전기차(EV) 충전 솔루션에는 오프 보드 DC 고속 충전기가 포함됩니다. 설계자는 Littlefuse EV 충전 솔루션을 통해 EV 충전 장치가 기능적으로 안전하도록 이상적인 솔루션을 선택할 수 있습니다.

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.