IXFN60N80P

IXYS
747-IXFN60N80P
IXFN60N80P

제조업체:

설명:
MOSFET 모듈 DIODE Id54 BVdass800

데이터시트:
ECAD 모델:
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IXYS
제품 카테고리: MOSFET 모듈
RoHS:  
Si
Screw Mount
SOT-227-4
N-Channel
1 Channel
800 V
53 A
140 mOhms
- 30 V, + 30 V
- 55 C
+ 150 C
1.04 mW
IXFN60N80
Tube
브랜드: IXYS
구성: Single
COA(최종 조립 국가): Not Available
COD(확산 공정 국가): Not Available
COO(원산지): KR
하강 시간: 26 ns
높이: 9.6 mm
길이: 38.23 mm
제품 유형: MOSFET Modules
상승 시간: 29 ns
팩토리 팩 수량: 10
하위 범주: Discrete and Power Modules
상표명: HiPerFET
타입: HiperFET
표준 턴-오프 지연 시간: 110 ns
표준 턴-온 지연 시간: 36 ns
너비: 25.42 mm
단위 중량: 30 g
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속성 선택됨: 0

데이터시트

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KRHTS:
8541299000
CNHTS:
8504901900
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Polar HiPerFET Power MOSFETs

IXYS Polar™ HiPerFETs Power MOSFETs combine the strengths of the Polar Standard family with a faster body diode. The faster body diode's reverse recovery time (trr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply applications (UPS). This family of MOSFETs provides the lowest RDS(on), low RthJC, low Qg, and enhanced dv/dt capability.

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