IXFN230N20T

IXYS
747-IXFN230N20T
IXFN230N20T

제조업체:

설명:
MOSFET 모듈 230A 200V

데이터시트:
ECAD 모델:
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368
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23
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₩41,721.2 ₩417,212
₩37,458.8 ₩3,745,880

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IXYS
제품 카테고리: MOSFET 모듈
RoHS:  
Si
Screw Mount
SOT-227-4
N-Channel
1 Channel
200 V
220 A
7.5 mOhms
- 20 V, + 20 V
3 V
- 55 C
+ 175 C
1.09 mW
IXFN230N20
Tube
브랜드: IXYS
구성: Single
COA(최종 조립 국가): Not Available
COD(확산 공정 국가): Not Available
COO(원산지): KR
하강 시간: 17 ns
높이: 12.22 mm
길이: 38.23 mm
제품 유형: MOSFET Modules
상승 시간: 38 ns
팩토리 팩 수량: 10
하위 범주: Discrete and Power Modules
상표명: HiPerFET
타입: GigaMOS Power MOSFET
표준 턴-오프 지연 시간: 62 ns
표준 턴-온 지연 시간: 58 ns
너비: 25.42 mm
단위 중량: 30 g
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데이터시트

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KRHTS:
8541299000
CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541500000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
MXHTS:
85415001
ECCN:
EAR99

Gen1 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen1 Trench Gate Power MOSFETs are ideally suited for low voltage/ high current applications, requiring an exceedingly low RDS(ON), enabling very low power dissipation. This, combined with wide-ranging operating junction temperature, from -40°C to 175°C, make them suitable candidates for automobile applications and other similar demanding applications in harsh environments.

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