IXFN210N30P3

Name: IXYS IXFN210N30P3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFN210N30P3
Price: 67043 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

747-IXFN210N30P3

제조업체 번호:

IXFN210N30P3

제조업체:

IXYS

설명:

MOSFET 모듈 N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

데이터시트:

IXFN210N30P3 데이터시트

ECAD 모델:

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	₩50,428.4	₩504,284
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500	견적

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	IXYS
제품 카테고리:	MOSFET 모듈
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	Screw Mount
패키지/케이스:	SOT-227-4
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	300 V
Id - 연속 드레인 전류:	192 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	14.5 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, + 20 V
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	1.5 kW
시리즈:	IXFN210N30
포장:	Tube
브랜드:	IXYS
구성:	Single
하강 시간:	13 ns
제품 유형:	MOSFET Modules
상승 시간:	25 ns
팩토리 팩 수량:	10
하위 범주:	Discrete and Power Modules
상표명:	HiPerFET
타입:	HiperFET
표준 턴-오프 지연 시간:	94 ns
표준 턴-온 지연 시간:	46 ns
단위 중량:	30 g

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KRHTS:: 8541299000
CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

PolarP3™ HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS PolarP3™ HiPerFET™ Power MOSFETs are the latest addition to the benchmark high-performance Polar-Series for the product portfolio between 300V, 500V, and 600V. The high Figure of Merit (FOM), which is the multiplication of Q_g and R_DS(on), provides an excellent alternative to weaker super junction technologies. These PolarP3 HiPerFETs demonstrate up to a 12% reduction in on-state resistance (R_dson), a 14 percent reduction in gate charge (Q_g) and as high as a 20 percent increase in maximum power dissipation (P_d). Lower thermal resistances are also achieved due to reduced chip thicknesses, increasing the total power density of the device.