IXFH94N30P3

Name: IXYS IXFH94N30P3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH94N30P3
Price: 20986 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

747-IXFH94N30P3

제조업체 번호:

IXFH94N30P3

제조업체:

IXYS

설명:

MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

데이터시트:

IXFH94N30P3 데이터시트

ECAD 모델:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	IXYS
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	Through Hole
패키지/케이스:	TO-247-3
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	300 V
Id - 연속 드레인 전류:	94 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	36 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	3 V
Qg - 게이트 전하:	102 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	1.04 kW
채널 모드:	Enhancement
상표명:	HiPerFET
포장:	Tube
브랜드:	IXYS
구성:	Single
ACO(최종 조립 국가):	Not Available
COD(확산 공정 국가):	Not Available
COO(원산지):	KR
제품 유형:	MOSFETs
시리즈:	IXFH94N30
팩토리 팩 수량:	30
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
단위 중량:	6 g

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541900000
CAHTS:: 8541900000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8542900006
MXHTS:: 8541900299
ECCN:: EAR99

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