IXFH52N30P

Name: IXYS IXFH52N30P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH52N30P
Price: 12410 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

747-IXFH52N30P

제조업체 번호:

IXFH52N30P

제조업체:

IXYS

설명:

MOSFET 52 Amps 300V 0.066 Rds

데이터시트:

IXFH52N30P 데이터시트

ECAD 모델:

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	IXYS
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	Through Hole
패키지/케이스:	TO-247-3
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	300 V
Id - 연속 드레인 전류:	52 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	73 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	5 V
Qg - 게이트 전하:	110 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	400 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	HiPerFET
포장:	Tube
브랜드:	IXYS
구성:	Single
하강 시간:	20 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	20 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	22 ns
시리즈:	IXFH52N30
팩토리 팩 수량:	30
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	60 ns
표준 턴-온 지연 시간:	24 ns
단위 중량:	6 g

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
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ECCN:: EAR99

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