IXFA5N50P3

IXYS
747-IXFA5N50P3
IXFA5N50P3

제조업체:

설명:
MOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode

ECAD 모델:
무료 라이브러리 로더를 다운로드하여 이 파일을 ECAD 도구용으로 변환하십시오. ECAD 모델에 대해 자세히 알아보기

구매 가능 정보

재고:
재고 없음
공장 리드 타임:
최소: 1   배수: 1
단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:

가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩4,602.8 ₩4,603
₩2,974.8 ₩29,748
₩2,175.6 ₩217,560
₩1,820.4 ₩910,200
₩1,583.6 ₩1,583,600

제품 속성 속성 값 속성 선택
IXYS
제품 카테고리: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
500 V
5 A
1.65 Ohms
HiPerFET
Tube
브랜드: IXYS
ACO(최종 조립 국가): Not Available
COD(확산 공정 국가): Not Available
COO(원산지): Not Available
제품 유형: MOSFETs
시리즈: IXFA5N50P
팩토리 팩 수량: 50
하위 범주: Transistors
단위 중량: 4 g
제품을 찾음:
유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.
이 카테고리에 유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.
속성 선택됨: 0

이 기능을 활성화하려면 자바스크립트가 필요합니다.

CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541900000
USHTS:
8541900080
JPHTS:
8542900006
TARIC:
8541900000
MXHTS:
8541900299
ECCN:
EAR99

PolarP3™ HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS PolarP3™ HiPerFET™ Power MOSFETs are the latest addition to the benchmark high-performance Polar-Series for the product portfolio between 300V, 500V, and 600V. The high Figure of Merit (FOM), which is the multiplication of Qg and RDS(on), provides an excellent alternative to weaker super junction technologies. These PolarP3 HiPerFETs demonstrate up to a 12% reduction in on-state resistance (Rdson), a 14 percent reduction in gate charge (Qg) and as high as a 20 percent increase in maximum power dissipation (Pd). Lower thermal resistances are also achieved due to reduced chip thicknesses, increasing the total power density of the device.

의료 장비 솔루션

Littelfuse 의료 장비 솔루션은 안정적인 작동 및 장비 가동 시간을 보장하는데 필요한 견고한 설계 및 품질 구성 요소를 제공합니다. 이러한 솔루션에는 호흡기, 제세동기 및 초음파 스캐너가 포함됩니다. Littelfuse 의료 장비 솔루션은 생명 유지 시스템, 환자 관리 장비 및 환자 모니터링 시스템에 이상적입니다.

전기차 DC 고속 충전기

Littelfuse 전기차(EV) 충전 솔루션에는 오프 보드 DC 고속 충전기가 포함됩니다. 설계자는 Littlefuse EV 충전 솔루션을 통해 EV 충전 장치가 기능적으로 안전하도록 이상적인 솔루션을 선택할 수 있습니다.

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.