IXFA10N80P

Name: IXYS IXFA10N80P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFA10N80P
Price: 7300 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

747-IXFA10N80P

제조업체 번호:

IXFA10N80P

제조업체:

IXYS

설명:

MOSFET 10 Amps 800V 1.1 Rds

데이터시트:

IXFA10N80P 데이터시트

ECAD 모델:

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	₩3,416.4	₩34,164
	₩3,212	₩1,606,000
	₩3,066	₩3,066,000
10,000	견적

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	IXYS
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	D2PAK-3 (TO-263-3)
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	800 V
Id - 연속 드레인 전류:	10 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	1.1 Ohms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 30 V, 30 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	3 V
Qg - 게이트 전하:	40 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	300 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	HiPerFET
포장:	Tube
브랜드:	IXYS
구성:	Single
하강 시간:	22 ns
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	22 ns
시리즈:	IXFA10N80P
팩토리 팩 수량:	50
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	62 ns
표준 턴-온 지연 시간:	21 ns
단위 중량:	4 g

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KRHTS:: 8541299000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
TARIC:: 8541500000
MXHTS:: 85415001
ECCN:: EAR99

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