GS8161Z18DGT-200

GSI Technology
464-GS8161Z18DGT-200
GS8161Z18DGT-200

제조업체:

설명:
SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M

데이터시트:
ECAD 모델:
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추가 정보
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수량 단가
합계
₩35,830.8 ₩35,831
₩33,196.4 ₩331,964
₩32,145.6 ₩803,640
₩23,561.6 ₩848,218
₩23,546.8 ₩2,543,054
2,520 견적

제품 속성 속성 값 속성 선택
GSI Technology
제품 카테고리: SRAM
RoHS:  
18 Mbit
1 M x 18
6.5 ns
200 MHz
Parallel
3.6 V
2.3 V
195 mA
0 C
+ 70 C
SMD/SMT
TQFP-100
Tray
브랜드: GSI Technology
ACO(최종 조립 국가): Not Available
COD(확산 공정 국가): Not Available
COO(원산지): TW
메모리 타입: SDR
습도에 민감: Yes
제품 유형: SRAM
시리즈: GS8161Z18DGT
팩토리 팩 수량: 36
하위 범주: Memory & Data Storage
상표명: NBT SRAM
타입: NBT
단위 중량: 10.005 g
제품을 찾음:
유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.
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속성 선택됨: 0

데이터시트

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KRHTS:
8542321020
CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8542320041
USHTS:
8542320041
JPHTS:
854232029
TARIC:
8542324500
MXHTS:
8542320201
ECCN:
3A991.b.2.b

NBT SRAMs

GSI Technology NBT SRAMs are 144Mbit and 288Mbit Synchronous Static SRAMs that utilize all available bus bandwidth. The SRAMs achieve this by eliminating the need to insert deselect cycles when the device is switched from read to write cycles. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. Because it is a synchronous device, address, data inputs, and read/write control inputs are captured on the rising edge of the input clock.

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