GS8161E18DGD-250IV

GSI Technology
464-8161E18DGD250IV
GS8161E18DGD-250IV

제조업체:

설명:
SRAM 1.8/2.5V 1M x 18 18M

데이터시트:
ECAD 모델:
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수량 단가
합계
₩72,579.2 ₩72,579
₩70,240.8 ₩702,408
₩62,263.6 ₩1,120,745
₩59,510.8 ₩6,427,166
₩57,986.4 ₩14,612,573
504 견적

제품 속성 속성 값 속성 선택
GSI Technology
제품 카테고리: SRAM
RoHS:  
18 Mbit
1 M x 18
5.5 ns
250 MHz
Parallel
2.7 V
1.7 V
225 mA, 245 mA
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
BGA-165
Tray
브랜드: GSI Technology
메모리 타입: SDR
습도에 민감: Yes
제품 유형: SRAM
시리즈: GS8161E18DGD
팩토리 팩 수량: 18
하위 범주: Memory & Data Storage
상표명: SyncBurst
타입: DCD Pipeline/Flow Through
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

데이터시트

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KRHTS:
8542321020
CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8542320041
USHTS:
8542320041
JPHTS:
854232029
TARIC:
8542324500
MXHTS:
8542320201
ECCN:
3A991.b.2.b

SyncBurst SRAMs

GSI Technology SyncBurst SRAMs are a broad portfolio of Synchronous Burst (SyncBurst™) SRAMs with fast clock rates and low power. SyncBurst SRAMs provide a "burst" of (typically) 2 to 4 words in response to a single clock signal. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. GSI Technology SyncBurst SRAMs are used in military, networking, industrial, automotive, and medical imaging applications where a mid-range performance point is required.

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