GS8128418B-200IV

Name: GSI Technology GS8128418B-200IV
Brand: GSI Technology
SKU: 464-GS8128418B-200IV
Price: 441128 KRW
Availability: OutOfStock

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Mouser 번호:

464-GS8128418B-200IV

제조업체 번호:

GS8128418B-200IV

제조업체:

GSI Technology

설명:

SRAM 1.8/2.5V 8M x 18 144M

데이터시트:

GS8128418B-200IV 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	GSI Technology
제품 카테고리:	SRAM
메모리 크기:	144 Mbit
조직:	8 M x 18
액세스 시간:	7.5 ns
최대 클록 주파수:	200 MHz
인터페이스 타입:	Parallel
공급 전압 - 최대:	3.6 V
공급 전압 - 최소:	2.3 V
공급 전류 - 최대:	360 mA, 435 mA
최저 작동온도:	- 40 C
최고 작동온도:	+ 85 C
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	BGA-119
포장:	Tray
브랜드:	GSI Technology
메모리 타입:	SDR
습도에 민감:	Yes
제품 유형:	SRAM
시리즈:	GS8128418B
팩토리 팩 수량:	10
하위 범주:	Memory & Data Storage
상표명:	SyncBurst
타입:	NBT Pipeline/Flow Through

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문서 필터:

데이터시트

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CNHTS:: 8542319090
CAHTS:: 8542320030
USHTS:: 8542320041
JPHTS:: 854232029
TARIC:: 8542324500
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: 3A991.b.2.b

SyncBurst SRAMs

GSI Technology SyncBurst SRAMs are a broad portfolio of Synchronous Burst (SyncBurst™) SRAMs with fast clock rates and low power. SyncBurst SRAMs provide a "burst" of (typically) 2 to 4 words in response to a single clock signal. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. GSI Technology SyncBurst SRAMs are used in military, networking, industrial, automotive, and medical imaging applications where a mid-range performance point is required.