브라우저에서 자바스크립트를 사용하지 않도록 설정한 것으로 보입니다. 로그인하지 않으면 이 페이지의 일부 기능이 작동하지 않습니다.

DI006H03SQ

Name: Diotec Semiconductor DI006H03SQ
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-DI006H03SQ
Price: 3445 KRW
Availability: InStock

이미지는 참조용으로만 사용하십시오
제품 사양을 참조하세요

Mouser 번호:

637-DI006H03SQ

제조업체 번호:

DI006H03SQ

제조업체:

Diotec Semiconductor

설명:

MOSFET MOSFET, SO-8, 30V, 6A, 150C, N+P

데이터시트:

DI006H03SQ 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

무료 라이브러리 로더를 다운로드하여 이 파일을 ECAD 도구용으로 변환하십시오. ECAD 모델에 대해 자세히 알아보기

추가 정보

Diotec Semiconductor DI006H03SQ에 대해 자세히 알아보십시오.

재고 상태: 3,949

재고:: 3,949 즉시 배송 가능

예기치 않은 오류가 발생했습니다. 나중에 다시 시도하십시오.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩3,445.6	₩3,446
	₩2,321.4	₩23,214
	₩1,576.8	₩157,680
	₩1,319.8	₩659,900
전체 릴(4000의 배수로 주문)
	₩1,086.2	₩4,344,800
	₩1,052.7	₩8,421,600
24,000	견적

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Diotec Semiconductor
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	SO-8
트랜지스터 극성:	N-Channel, P-Channel
채널 수:	4 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	30 V
Id - 연속 드레인 전류:	6 A, 4.2 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	25 mOhms, 50 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	1 V, 2 V
Qg - 게이트 전하:	11.7 nC, 11.4 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	1.5 W
채널 모드:	Enhancement
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
브랜드:	Diotec Semiconductor
구성:	Quad
하강 시간:	8.7 ns, 13.5 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	4 S, 3.5 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	15 ns, 4.9 ns
시리즈:	DI0XX
팩토리 팩 수량:	4000
하위 범주:	Transistors
표준 턴-오프 지연 시간:	17.5 ns, 28.2 ns
표준 턴-온 지연 시간:	11.2 ns, 7.5 ns

제품을 찾음:

유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

이 카테고리에 유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

DI006H03SQ 데이터시트 (PDF)

Models

Full Material Declaration (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Advanced Trench Technology Power MOSFETs

Diotec Semiconductors Advanced Trench Technology Power MOSFETs feature low on-state resistance and fast switching time. These MOSFETs components are available in standard commercial/industrial grading. The power MOSFETs are offered as N, P, or dual N+P channel types in single, dual, and H bridge configurations. These MOSFETs offer a 100mA to 280A current range and a 20V to 250V voltage range.

DI006H03SQ N/P-Channel Power MOSFET H-Bridge

Diotec Semiconductor DI006H03SQ N/P-Channel Power MOSFET H-Bridge delivers a low on-state resistance, a low gate charge, and fast switching times. With a wide junction temperature range from -55°C to +150°C, DI006H03SQ provides 1.5W maximum power dissipation and a ±20V maximum continuous gate-source voltage. The low-profile SO-8 packaged DI006H03SQ is geared toward DC/DC converters, power supplies, DC drives, synchronous rectifiers, and commercial/industrial-grade applications.