SSM2212RZ-R7

Analog Devices
584-SSM2212RZ-R7
SSM2212RZ-R7

제조업체:

설명:
양극성 트랜지스터 - BJT Low Noise,Matched Dual NPN Transistor

ECAD 모델:
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재고 상태: 837

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837
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₩-
합계:
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포장:
전체 릴(1000의 배수로 주문)

가격 (KRW)

수량 단가
합계
컷 테이프/MouseReel™
₩15,563.6 ₩15,564
₩12,176.4 ₩121,764
₩10,147 ₩1,014,700
₩9,037.4 ₩4,518,700
전체 릴(1000의 배수로 주문)
₩7,665 ₩7,665,000
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제조업체 부품 번호:
포장:
Tube
구매 가능 정보:
재고 상태
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₩15,564
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1

유사 제품

Analog Devices SSM2212RZ
Analog Devices
양극성 트랜지스터 - BJT Low Noise,Matched Dual NPN Transistor

제품 속성 속성 값 속성 선택
Analog Devices Inc.
제품 카테고리: 양극성 트랜지스터 - BJT
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOIC-8
NPN
Dual
20 mA
40 V
40 V
50 mV
200 MHz
- 40 C
+ 85 C
SSM2212
Reel
Cut Tape
MouseReel
브랜드: Analog Devices
DC 컬렉터/베이스 게인 hfe Min: 300 at 1 mA, 200 at 10 uA
제품 유형: BJTs - Bipolar Transistors
팩토리 팩 수량: 1000
하위 범주: Transistors
단위 중량: 540 mg
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

KRHTS:
8541219000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854121000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99

SSM2212 Dual-Matched NPN Transistor

Analog Devices SSM2212 Dual-Matched NPN Transistors are dual, NPN-matched transistor pairs specifically designed to meet the requirements of ultra-low noise audio systems. With its extremely low input base spreading resistance (rbb' is typically 28Ω) and high current gain (hFE typically exceeds 600 at IC = 1mA), the SSM2212 can achieve outstanding signal-to-noise ratios. The high current gain results in superior performance compared to systems incorporating commercially available monolithic amplifiers.