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HMC8412TCPZ-EP-R7

Name: Analog Devices Inc. HMC8412TCPZ-EP-R7
Brand: Analog Devices
SKU: 584-HMC8412TCPZEPR7
Price: 206504 KRW
Availability: OutOfStock

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Mouser 번호:

584-HMC8412TCPZEPR7

제조업체 번호:

HMC8412TCPZ-EP-R7

제조업체:

Analog Devices

설명:

RF 증폭기 .LNA 0.4 11 GHz

데이터시트:

HMC8412TCPZ-EP-R7 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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HMC8412TCPZ-EP-PT

포장:

Cut Tape

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유사 제품

제조업체:

Analog Devices

제조업체 번호:

HMC8412TCPZ-EP-PT

설명:

RF 증폭기 .LNA 0.4 11 GHz

현재 부품과 비교

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Analog Devices Inc.
제품 카테고리:	RF 증폭기
RoHS:
작동 주파수:	400 MHz to 10 GHz
작동 공급 전압:	5 V
작동 공급 전류:	60 mA
이득:	15 dB
NF - 잡음 지수:	1.5 dB
타입:	Low Noise Amplifiers
장착 스타일:	SMD/SMT
기술:	GaAs
OIP3 - 3차 교차점:	32 dBm
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 85 C
포장:	Reel
브랜드:	Analog Devices
COA(최종 조립 국가):	Not Available
COD(확산 공정 국가):	Not Available
COO(원산지):	KR
개발 키트:	EVAL-HMC8412
입력 리턴 손실:	17 dB
채널 수:	1 Channel
Pd - 전력 발산:	1.1 W
제품 유형:	RF Amplifier
팩토리 팩 수량:	500
하위 범주:	Wireless & RF Integrated Circuits
시험 주파수:	400 MHz to 8 GHz

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

HMC8412TCPZ-EP-R7 데이터시트 (PDF)

PCN

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CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
TARIC:: 8542330000
MXHTS:: 8542330299
ECCN:: EAR99

RF 및 극초단파 솔루션

Analog Devices는 완전한 고속 및 RF 신호 체인을 포괄하는 부품을 제공합니다. 이 포트폴리오를 통해 설계 엔지니어는 DC에서 100GHz 이상까지 계속 증가하는 주파수 범위에서 동급 최고의 성능과 저렴한 테스트 및 소유 비용이 드는 플랫폼 전자 테스트 및 측정 시스템을 개발할 수 있습니다. 데이터 컨버터, RF 및 마이크로파 IC의 우수 공급사인 Analog Devices는 전체 주파수 스펙트럼에 걸쳐 2,000개 이상의 고성능 제품을 제공합니다.

HMC8412 낮은 NF LNA(0.4~11GHz)

Analog Devices Inc. HMC8412 낮은 NF LNA(0.4~11GHz)는 GaAs(갈륨 비소), MMIC(모놀리식 마이크로파 집적 회로), pHEMT(부정형 고전자 모빌리티 트랜지스터), 저잡음 광대역 증폭기입니다. HMC8412은 0.4~11GHz에서 작동하고 15.5dB(표준) 이득, 1.4dB(표준) 잡음 지수, ≤33dBm(표준) OIP3(출력 3차 인터셉트)를 제공하여 5V 드레인 공급 전압에서 단지 60mA만 필요합니다. ≤20.5dBm(표준)의 포화 출력 전력(PSAT)을 통해 LNA(저잡음 증폭기)가 많은 ADI 평형, 위상 및 직교(I/Q) 또는 이미지 제거 믹서를 위한 LO(국부 발진기) 드라이버로 기능할 수 있습니다.