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AS4C32M16D2C-25BINTR

Name: Alliance Memory AS4C32M16D2C-25BINTR
Brand: Alliance Memory
SKU: 913-C32M16D2C25BINTR
Price: 4958 KRW
Availability: OutOfStock

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Mouser 번호:

913-C32M16D2C25BINTR

제조업체 번호:

AS4C32M16D2C-25BINTR

제조업체:

Alliance Memory

설명:

DRAM DDR2, 512Mb, 32M x 16, 1.8V, 84-ball BGA, 400 MHz, Industrial Temp - Tape & Reel

데이터시트:

AS4C32M16D2C-25BINTR 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Alliance Memory
제품 카테고리:	DRAM
RoHS:
타입:	SDRAM - DDR2
메모리 크기:	512 Mbit
데이터 버스 너비:	16 bit
최대 클록 주파수:	400 MHz
패키지/케이스:	FBGA-84
조직:	32 M x 16
액세스 시간:	400 ps
공급 전압 - 최소:	1.7 V
공급 전압 - 최대:	1.9 V
최저 작동온도:	- 40 C
최고 작동온도:	+ 95 C
포장:	Reel
브랜드:	Alliance Memory
COA(최종 조립 국가):	Not Available
COD(확산 공정 국가):	Not Available
COO(원산지):	TW
습도에 민감:	Yes
장착 스타일:	SMD/SMT
제품 유형:	DRAM
팩토리 팩 수량:	2500
하위 범주:	Memory & Data Storage
공급 전류 - 최대:	75 mA

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

AS4C32M16D2C-25BINTR 데이터시트 (PDF)

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CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320032
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

AS4C SDRAM

Alliance Memory AS4C SDRAM is high-speed CMOS synchronous DRAM containing 64Mbits, 128Mbits, or 256Mbits. They are internally configured as 4 banks of 1M, 2M, or 4M word x 16 DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK). Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented, accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command, which is then followed by a Read or Write command.