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IKW50N65ET7XKSA1

Name: Infineon IKW50N65ET7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKW50N65ET7XKSA1
Price: 6615 KRW
Availability: OutOfStock

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Mouser 번호:

726-IKW50N65ET7XKSA1

제조업체 번호:

IKW50N65ET7XKSA1

제조업체:

Infineon Technologies

설명:

IGBT 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package

데이터시트:

IKW50N65ET7XKSA1 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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재고:: 0

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	₩6,615.6	₩6,616
	₩4,055.2	₩40,552
	₩3,344.8	₩334,480
	₩3,182	₩1,527,360

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Infineon
제품 카테고리:	IGBT
RoHS:
기술:	Si
패키지/케이스:	TO-247-3
장착 스타일:	Through Hole
구성:	Single
콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO:	650 V
콜렉터-이미터 포화 전압:	1.35 V
최대 게이트 이미터 전압:	- 20 V, 20 V
25 C의 지속적인 컬렉터 전류:	80 A
Pd - 전력 발산:	273 W
최저 작동온도:	- 40 C
최고 작동온도:	+ 175 C
시리즈:	IGBT7 T7
포장:	Tube
브랜드:	Infineon Technologies
COA(최종 조립 국가):	Not Available
COD(확산 공정 국가):	Not Available
COO(원산지):	MY
게이트-이미터 누설 전류:	100 nA
제품 유형:	IGBT Transistors
팩토리 팩 수량:	240
하위 범주:	IGBTs
상표명:	TRENCHSTOP
부품번호 별칭:	IKW50N65ET7 SP005348292

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문서 필터:

데이터시트

IKW50N65ET7XKSA1 데이터시트 (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

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