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6ED2230S12TXUMA1

Name: Infineon 6ED2230S12TXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-6ED2230S12TXUMA1
Price: 5971 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

726-6ED2230S12TXUMA1

제조업체 번호:

6ED2230S12TXUMA1

제조업체:

Infineon Technologies

설명:

게이트 드라이버 1200V, 0.65A 3-Phase BSD, OCP, EN & FAUL

데이터시트:

6ED2230S12TXUMA1 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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재고 상태: 61

재고:: 61

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수량	단가	합계
	₩5,971.4	₩5,971
	₩4,526	₩45,260
	₩4,161	₩104,025
	₩3,766.8	₩376,680
	₩3,577	₩894,250
	₩3,460.2	₩1,730,100
전체 릴(1000의 배수로 주문)
	₩3,343.4	₩3,343,400
	₩3,212	₩6,424,000

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Infineon
제품 카테고리:	게이트 드라이버
RoHS:
제품:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
타입:	High-Side, Low-Side
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	DSO-24
드라이버 수:	6 Driver
출력 수:	6 Output
출력 전류:	650 mA
공급 전압 - 최소:	13 V
공급 전압 - 최대:	20 V
구성:	Inverting
상승 시간:	35 ns
하강 시간:	20 ns
최저 작동온도:	- 40 C
최고 작동온도:	+ 125 C
시리즈:	Infineon SOI
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
브랜드:	Infineon Technologies
로직 타입:	CMOS
최대 턴-오프 지연 시간:	600 ns
최대 턴-온 지연 시간:	600 ns
습도에 민감:	Yes
작동 공급 전류:	175 uA
Pd - 전력 발산:	1.3 W
제품 유형:	Gate Drivers
전파 지연 - 최대:	900 ns
차단:	Shutdown
팩토리 팩 수량:	1000
하위 범주:	PMIC - Power Management ICs
기술:	Si
상표명:	EiceDRIVER
부품번호 별칭:	6ED2230S12T SP001656578
단위 중량:	807.300 mg

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데이터시트

6ED2230S12TXUMA1 데이터시트 (PDF)

Product Catalogs

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CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542310075
ECCN:: EAR99

6ED223xS12T EiceDRIVER™ 게이트 드라이버 IC

Infineon Technologies 6ED223xS12T EiceDRIVER ™ 레벨 시프트 게이트 드라이버 IC는 3상 애플리케이션을 위한 3개의 독립적인 하이 사이드 및 로우 사이드 기준 출력 채널이 있는 고압(최대 1200V), 고속 절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT)입니다. 독점 HVIC 및 latch-immune CMOS 기술을 통해 견고 한 모놀리식 구조를 구현할 수 있습니다. 로직 입력은 3.3V 로직까지 표준 CMOS 또는 TTL 출력과 호환됩니다. 이 저항기는 6개의 모든 출력을 종단 처리하는 OCP(과전류 보호) 기능을 유도할 수도 있습니다.

EiceDRIVER™ 게이트 드라이버 IC

Infineon EiceDRIVER™ 게이트 드라이버 IC는 MOSFET, IGBT, SiC MOSFET 및 GaN HEMT 장치용으로 설계되었습니다. EiceDRIVERTM™ 게이트 드라이버는 0.1A에서 최대 10A까지 광범위한 일반 출력 전류 옵션을 제공합니다. 이 장치는 DESAT(빠른 단락 보호), 능동 밀러 클램프, 슛스루 보호, 결함, 셧다운 및 과전류 보호와 같은 강력한 게이트 드라이브 보호 기능을 갖추고 있습니다. 이러한 특징 덕분에 이 드라이버 IC는 CoolGaN™ 및 CoolSiC™ 를 포함한 실리콘 및 와이드 밴드갭 전원 장치 모두에 매우 적합합니다. 이것이 바로 Infineon이 모든 전원 스위치와 모든 애플리케이션에 적합한 500개 이상의 EiceDRIVER™ 게이트 드라이버 IC 솔루션을 제공하는 이유입니다.

1,200V 레벨 시프트 게이트 드라이버

Infineon 산업용 드라이브 용 1 200 V 레벨 시프트 게이트 드라이버는 IGBT 또는 MOSFET에 적합한 3상, 하프 브리지 및 하이 및 로우 측 드라이버를 포함합니다. 통합형 BSD (부트스트랩 다이오드) 및 과전류 보호 기능이 있는 6ED2230S12T 3상 1 200 V SOI 드라이버는 Infineon의 고유한 SOI (Silicon-on-Insula ) 레벨 시프트 기술을 활용합니다. 6ED2230S12T는 업계 최고의 네거티브 VS 견고성으로 기능적 절연을 제공합니다. 또한 통합 부트스트랩 다이오드로 레벨 시프트 손실을 줄이고 PCB 설치 공간을 줄일 수 있습니다.