Infineon Technologies 1,200V 3 레벨 IGBT 모듈
Infineon Technologies 1,200V 3 레벨 IGBT 모듈은 설계 유연성을 제한하지 않고 전기적 성능과 높은 신뢰성을 제공합니다. IGBT 모듈은 수백 와트에서 메가 와트에 이르는 범위를 포괄합니다. 1,200V IGBT 모듈은 3 레벨 애플리케이션용으로 설계되었습니다.
1,200V IGBT 모듈은 전원 전자 애플리케이션의 재현 가능한 열 성능을 위해 미리 적용된 TIM(열 인터페이스 재료)가 특징입니다. 또한 IGBT는 전원 모듈에 대해서 무납땜 및 무연 마운팅을 위해 PressFIT 핀을 사용하여 마운팅할 수 있습니다.
특징
- 확장된 작동 온도 Tvjop
- 낮은 스위칭 손실
- 낮은 VCEsat
- 탁월한 견고성
- Tvjop = 150°C
- 정온도 계수를 가진 VCEsat
- 절연 베이스 플레이트
- 표준 하우징
- 사전 적용된 열 인터페이스 재료
게시일: 2021-10-22
| 갱신일: 2022-03-11