Bulk SRAM

결과: 9
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 메모리 크기 조직 액세스 시간 최대 클록 주파수 인터페이스 타입 공급 전압 - 최대 공급 전압 - 최소 공급 전류 - 최대 최저 작동온도 최고 작동온도 장착 스타일 패키지/케이스 포장
ISSI SRAM 16M (1Mx16) 10ns Async SRAM 3.3V 419재고 상태
최소: 1
배수: 1

16 Mbit 1 M x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Bulk

ISSI SRAM 16M (1Mx16) 10ns Async SRAM 3.3V 343재고 상태
최소: 1
배수: 1

16 Mbit 1 M x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Bulk
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,2.2v 3.6v, 48 Pin TSOP I, RoHS 96재고 상태
최소: 1
배수: 1

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Bulk
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC, 256K x 16, 20ns, 1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 480
배수: 480

4 Mbit 256 k x 16 20 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Bulk
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 480
배수: 480

8 Mbit 512 k x 16 20 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 40 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Bulk

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 135
배수: 135

8 Mbit 512 k x 16 20 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 40 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Bulk
ISSI SRAM 8Mb 256Kx36 7.5ns Sync SRAM 3.3v 비재고 리드 타임 26 주
최소: 72
배수: 72

9 Mbit 256 k x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 280 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Bulk
ISSI SRAM 16M (1Mx16) 10ns Async SRAM 3.3V 재고 없음
최소: 1
배수: 1
16 Mbit 1 M x 16 10 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Bulk
ISSI IS61QDB41M18A-250M3LI
ISSI SRAM 18Mb, QUAD (Burst of 4), Sync SRAM, 1M x 18, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 비재고 리드 타임 30 주
최소: 105
배수: 105

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