2 Mbit SRAM

결과: 204
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ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,128K x 16,10ns,2.4V-3.6V, 44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

2 Mbit 128 k x 16 10 ns 3.6 V 2.4 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel

ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,128K x 16,10ns,2.4V-3.6V, 44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1

2 Mbit 128 k x 16 10 ns 3.6 V 2.4 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray

ISSI SRAM 2Mb (128K x 16) 10ns 2.4V-3.6V Async SRA 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1

2 Mbit 128 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,45ns,2.2v 3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

2 Mbit 128 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,45ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 480
배수: 480

2 Mbit 128 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v 3.6v,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 480
배수: 480

2 Mbit 256 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-36
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v 3.6v,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

2 Mbit 256 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-36 Reel
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v 3.6v,32 Pin sTSOP I (8x13.4mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

2 Mbit 256 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT sTSOP-32 Reel

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v 3.6v,32 Pin TSOP I (8x20mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1

2 Mbit 256 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v 3.6v,32 Pin TSOP I (8x20mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

2 Mbit 256 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Reel
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,45ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1

2 Mbit 128 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 26 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT mBGA-48 Tray
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,45ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

2 Mbit 128 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 26 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT mBGA-48 Reel

ISSI SRAM 2Mb 128K x 16 45ns Async SRAM 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1

2 Mbit 128 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 40 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,45ns,2.5v 3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

2 Mbit 128 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 40 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v 3.6v,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 480
배수: 480

2 Mbit 256 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 26 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT mBGA-36 Tray
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v 3.6v,32 Pin sTSOP I (8x13.4mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1

2 Mbit 256 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 26 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Tray
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v 3.6v,32 Pin TSOP I (8x20mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1

2 Mbit 256 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 26 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Tray
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v 3.6v,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

2 Mbit 256 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 26 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT mBGA-36 Reel
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v 3.6v,32 Pin sTSOP I (8x13.4mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

2 Mbit 256 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 26 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Reel
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v 3.6v,32 Pin TSOP I (8x20mm), RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

2 Mbit 256 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 26 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Reel
ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async,128K x 16,8ns/3.3v, or 10ns/2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp, ECC 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

2 Mbit 128 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 50 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TFBGA-48 Reel
ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async,128K x 16,8ns/3.3v, or 10ns/2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp, ECC 비재고 리드 타임 16 주
최소: 480
배수: 480

2 Mbit 128 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 50 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TFBGA-48

ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async,128K x 16,8ns/3.3v, or 10ns/2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp, ECC 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

2 Mbit 128 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 50 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async,256K x 8, 8ns/3.3v, or 10ns/2.4v-3.6v, 36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp, ECC 비재고 리드 타임 14 주
최소: 480
배수: 480

2 Mbit 256 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 50 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TFBGA-36
ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async,256K x 8, 8ns/3.3v, or 10ns/2.4v-3.6v, 36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp, ECC 비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

2 Mbit 256 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 50 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TFBGA-36 Reel