Tray NVRAM

결과: 81
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 패키지/케이스 인터페이스 타입 메모리 크기 조직 데이터 버스 너비 액세스 시간 공급 전압 - 최대 공급 전압 - 최소 작동 공급 전류 최저 작동온도 최고 작동온도 시리즈 포장
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 25ns 256K x 16 nvSRAM 758재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 45 ns 3.6 V 2.7 V 70 mA - 40 C + 85 C CY14B104NA Tray
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 25ns 512K x 16 nvSRAM 471재고 상태
432예상 2026-07-02
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-54 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108N Tray
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 45ns 512K x 16 nvSRAM 683재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-54 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 45 ns 3.6 V 2.7 V 75 mA - 40 C + 85 C CY14B108N Tray
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 1024k Nonvolatile SRAM 45재고 상태
최소: 1
배수: 1

PowerCap Module-34 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 70 ns 5.5 V 4.5 V 85 mA 0 C + 70 C DS1245YP Tray
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 4096k Nonvolatile SRAM 55재고 상태
최소: 1
배수: 1

PowerCap Module-34 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 70 ns 5.5 V 4.5 V 85 mA - 40 C + 85 C DS1250YP Tray
Infineon Technologies CY14B116N-ZSP25XI
Infineon Technologies NVRAM NVSRAM 341재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-54 CY14B116 Tray
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 45ns 256K x 16 nvSRAM 106재고 상태
175예상 2026-07-06
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 45 ns 3.6 V 2.7 V 70 mA - 40 C + 85 C CY14B104NA Tray
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 25ns 1024K x 8 nvSRAM 1,329재고 상태
최소: 1
배수: 1

FBGA-48 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108L Tray
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 45ns 512K x 16 nvSRAM 207재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-54 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108M Tray
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 45ns 512K x 16 nvSRAM 300재고 상태
최소: 1
배수: 1

FBGA-48 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108N Tray
Infineon Technologies NVRAM 256Kb 3V 25ns 32K x 8 nvSRAM 290재고 상태
540예상 2026-07-06
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 25 ns 3.6 V 2.7 V 70 mA - 40 C + 85 C CY14B256LA Tray
Infineon Technologies CY14B104LA-ZS45XI
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 45ns 512K x 8 nvSRAM 140재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 CY14B104LA Tray
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 45ns 256K x 16 nvSRAM 3재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-54 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 45 ns 3.6 V 2.7 V 70 mA - 40 C + 85 C CY14B104M Tray
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 256k Nonvolatile SRAM 6재고 상태
최소: 1
배수: 1

PowerCap Module-34 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 100 ns 5.25 V 4.75 V 85 mA 0 C + 70 C DS1230AB Tray
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 1024k Nonvolatile SRAM
40예상 2026-07-20
최소: 1
배수: 1

PowerCap Module-34 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 70 ns 5.5 V 4.5 V 85 mA 0 C + 70 C DS1245YP Tray
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 256k Nonvolatile SRAM with Battery Monit
80예상 2026-07-29
최소: 1
배수: 1

PowerCap Module-34 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 70 ns 5.5 V 4.5 V 85 mA 0 C + 70 C DS1330Y Tray
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 20ns 1024K x 8 nvSRAM
135예상 2026-07-16
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108L Tray
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM 비재고 리드 타임 10 주
최소: 40
배수: 40

PowerCap Module-34 DS1230W Tray
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1

PowerCap Module-34 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 150 ns 3.6 V 3 V 50 mA 0 C + 70 C DS1230W Tray

Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 256k Nonvolatile SRAM 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1

PowerCap Module-34 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 70 ns 5.5 V 4.5 V 85 mA 0 C + 70 C DS1230Y Tray

Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 256k Nonvolatile SRAM 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1

PowerCap Module-34 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 70 ns 5.5 V 4.5 V 85 mA - 40 C + 85 C DS1230Y Tray
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 1024k Nonvolatile SRAM 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1

PowerCap Module-34 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 70 ns 5.5 V 4.5 V 85 mA - 40 C + 85 C DS1245YP Tray
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 3.3V 4096k Nonvolatile SRAM 비재고 리드 타임 10 주
최소: 40
배수: 40

PowerCap Module-34 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 100 ns 3.6 V 3 V 50 mA 0 C + 70 C DS1250WP Tray
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM with Battery 비재고 리드 타임 10 주
최소: 40
배수: 40

PowerCap Module-34 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 100 ns 3.6 V 3 V 50 mA - 40 C + 85 C DS1330W Tray
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 1024k Nonvolatile SRAM with Battery Moni 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1

PowerCap Module-34 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 100 ns 5.5 V 4.5 V 85 mA 0 C + 70 C DS1345Y Tray