1 Gbit DRAM

결과: 180
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ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 64Mx16, 333Mhz @ CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 333 MHz BGA-84 64 M x 16 450 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 70 C IS43DR16640B Reel
ISSI DRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 333MHz,64Mx16, IT 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 333 MHz BGA-84 64 M x 16 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR16640C
ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 400Mhz @CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS, T&R 비재고 리드 타임 36 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 400 MHz BGA-60 128 M x 8 1.7 V 1.9 V 0 C + 70 C IS43DR81280B Reel
ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 333Mhz @CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS, T&R 비재고 리드 타임 36 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 333 MHz BGA-60 128 M x 8 450 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 70 C IS43DR81280B Reel
ISSI DRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 400MHz,128Mx8 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 400 MHz BGA-60 128 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C IS43DR81280C
ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 333Mhz @CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 242
배수: 242

SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 333 MHz BGA-60 128 M x 8 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C IS43DR81280C
ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 333Mhz @CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS, IT 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 333 MHz BGA-60 128 M x 8 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR81280C
ISSI DRAM 1G, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 재고 없음
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM Mobile - DDR 1 Gbit 32 bit 166 MHz BGA-90 32 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LR32320B Reel
ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 333Mhz @CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 36 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 333 MHz BGA-60 128 M x 8 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR81280B Reel
ISSI DRAM 1G, 1.5V, DDR3 w/ ECC, 64Mx16, 1333MT/s @ 9-9-9, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 40 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IS43TR16640ED
ISSI DRAM 1G, 1.5V, DDR3 w/ ECC, 64Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 40 주
최소: 190
배수: 190

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IS43TR16640ED
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C),1G, 1.8V, DDR2, 64Mx16, 333Mhz @ CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 333 MHz BGA-84 64 M x 16 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IS46DR16640B Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C),1G, 1.8V, DDR2, 64Mx16, 333Mhz @ CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 333 MHz BGA-84 64 M x 16 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 105 C IS46DR16640B Reel
ISSI DRAM Automotive 1G,1.8V 64Mx16 DDR2 SDRAM 비재고 리드 타임 24 주
최소: 209
배수: 209

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz BGA-84 64 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS46DR16640B Reel
ISSI DRAM 1G (64Mx16) 400MHz 1.8v DDR2 SDRAM 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz BGA-84 64 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 105 C IS46DR16640B Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C),1G, 1.8V, DDR2, 64Mx16, 333Mhz @ CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 209
배수: 209

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 333 MHz BGA-84 64 M x 16 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IS46DR16640B Tray
ISSI DRAM 1G (64Mx16) 333MHz 1.8v DDR2 SDRAM 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 333 MHz BGA-84 64 M x 16 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 105 C IS46DR16640B Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C),1G, 1.8V, DDR2, 64Mx16, 400Mhz @ CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz BGA-84 64 M x 16 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IS46DR16640B Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C),1G, 1.8V, DDR2, 64Mx16, 400Mhz @ CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz BGA-84 64 M x 16 1.7 V 1.9 V - 40 C + 105 C IS46DR16640B Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 1G, 1.5V, DDR3 w/ ECC, 64Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS 비재고 리드 타임 40 주
최소: 190
배수: 190

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IS46TR16640ED
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 1G, 1.5V, DDR3 w/ ECC, 64Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS 비재고 리드 타임 40 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 1.425 V 1.575 V - 40 C + 105 C IS46TR16640ED
ISSI DRAM 1G 64Mx16 1600MT/s DDR3 1.5V A-Temp 비재고 리드 타임 40 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IS46TR16640ED Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 1G, 1.5V, DDR3 w/ ECC, 64Mx16, 1333MT/s @ 9-9-9, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 40 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IS46TR16640ED Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +125C), 1G, 1.5V, DDR3 w/ ECC, 64Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS 비재고 리드 타임 40 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 1.425 V 1.575 V - 40 C + 125 C IS46TR16640ED Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C),1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 400Mhz @ CL5, 60 ball BGA, (8mmx10.5mm), RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 242
배수: 242

SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 400 MHz BGA-60 128 M x 8 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IS46DR81280B