ISSI 메모리 IC

결과: 3,673
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS 제품 제품 유형 장착 스타일 패키지/케이스 메모리 크기 인터페이스 타입

ISSI SRAM 1Mb,High-Speed,Async,64K x 16,12ns,5v,44 Pin TSOP II, RoHS 179재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 39

SRAM SMD/SMT TSOP-44 1 Mbit Parallel
ISSI SRAM 256K 32Kx8 45ns 3.3v Async SRAM 3.3v 1,394재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 167

SRAM SMD/SMT TSOP-28 256 kbit Parallel
ISSI UFS(범용 플래시 스토리지) 256GB, 153 Ball FBGA, 3.3V, RoHS, T&R, Auto Grade (-40+105C) 152재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 152
: 152

Universal Flash Storage - UFS Universal Flash Storage (UFS) SMD/SMT FBGA-153 256 GB UFS 2.1
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS 102재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ISSI IS43QR85120B-075UBLI
ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2666MT/s at 16-16-16, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT 267재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

DRAM SMD/SMT BGA-78
ISSI IS43LQ32256B-062BLI
ISSI DRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS 53재고 상태
136예상 2026-10-22
최소: 1
배수: 1
최대: 21

DRAM
ISSI IS46LQ32256B-062BLA1
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS 124재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

DRAM
ISSI IS25WX512M-OHLE
ISSI NOR 플래시 512Mb, Octal Flash, 1.8V, 24-ball TFBGA, RoHS,Default Octal DDR Mode, IT 449재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

NOR Flash SMD/SMT TFBGA-24 512 Mbit xSPI
ISSI IS29GL064-70BLED
ISSI NOR 플래시 64Mb,48-BGA(6x8mm),3V, RoHS, Bottom Two Sectors Protected, Bottom Boot 245재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 12

NOR Flash
ISSI IS66WVS1M8ALL-104NLI
ISSI SRAM 8Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 113재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 21

SRAM SMD/SMT SOIC-8 8 Mbit SPI
ISSI IS66WVS2M8ALL-104NLI
ISSI SRAM 16Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 138재고 상태
200예상 2026-04-17
최소: 1
배수: 1
최대: 77

SRAM SMD/SMT SOIC-8 16 Mbit SPI
ISSI IS66WVE4M16ECLL-70BLI
ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM 4Mx16 70ns 557재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SRAM SMD/SMT 64 Mbit Parallel
ISSI NOR 플래시 128Mb, 56 Ball BGA(9X7mm), 3V, RoHS, Lowest Sector Protected 240재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

NOR Flash SMD/SMT BGA-56 128 Mbit
ISSI SRAM 4Mb,Flow-Through,Sync with ECC,128K x 36,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS 55재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SRAM SMD/SMT TQFP-100 4 Mbit Parallel
ISSI DRAM 64M, 3.3V, M-SDRAM 2Mx32, 133Mhz, RoHS 63재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 5

DRAM SMD/SMT FBGA-54 64 Mbit
ISSI DRAM 512M 1.2/1.8V 32Mx16 400MHz 134ball BGA 131재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

DRAM SMD/SMT FBGA-134 512 Mbit
ISSI DRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS 5재고 상태
136예상 2026-10-13
최소: 1
배수: 1
최대: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-200 8 Gbit
ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s at 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, IT 23재고 상태
1,980주문 중
최소: 1
배수: 1
최대: 441

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI DRAM 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS 161재고 상태
190예상 2026-04-20
최소: 1
배수: 1
최대: 16

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI DRAM 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS 6재고 상태
5,510주문 중
최소: 1
배수: 1
최대: 996

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.35V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS 170재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI SRAM 4Mb,Flowthrough,Sync with ECC,128K x 36,7.5ns,3.3v I/O,165 Ball BGA, RoHS, Automotive temp 142재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SRAM SMD/SMT TQFP-100 4 Mbit

ISSI SRAM 4Mb, 2.4v-3.6v, 10ns 256Kx16 Async SRAM 135재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 13

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 72Mb,Flowthrough,Sync,2Mb x 36,3.3V I/O,100 Pin TQFP, RoHS 72재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SRAM SMD/SMT TQFP-100 72 Mbit Parallel
ISSI SRAM 18Mb 200MHz, 3.3V or 2.5V 1Mx18 Sync SRA 7재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SRAM SMD/SMT TQFP-100 18 Mbit Parallel