32 bit Tray 내장형 솔루션

내장형 솔루션의 유형

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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS
ISSI DRAM 256M, 2.5V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 16 주
최소: 240
배수: 240

ISSI DRAM 256M 8Mx32 143Mhz SDR SDRAM, 3.3V 재고 없음
최소: 240
배수: 240

ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 재고 없음
최소: 240
배수: 240

ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 1G, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 재고 없음
최소: 240
배수: 240

ISSI DRAM 1G, 1.8V, 166Mhz 32Mx32, Mobile DDR 재고 없음
최소: 240
배수: 240

ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 240
배수: 240

ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 16Mx32, 200MHz, 144-ball BGA (12mmx12mm) RoHS 재고 없음
최소: 189
배수: 189

ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 16Mx32, 200MHz, 144-ball BGA (12mmx12mm) RoHS, IT 재고 없음
최소: 189
배수: 189

ISSI DRAM 128M (4Mx32) 250MHz 2.5v DDR SDRAM 재고 없음
최소: 189
배수: 189

ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 8Mx32, 166MHz, 144-ball BGA (12mmx12mm) RoHS 재고 없음
최소: 189
배수: 189

ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 재고 없음
최소: 240
배수: 240

ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS N/A
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 재고 없음
최소: 240
배수: 240

ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 재고 없음
최소: 240
배수: 240

ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 재고 없음
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 40 주
최소: 171
배수: 171

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 비재고 리드 타임 40 주
최소: 136
배수: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 비재고 리드 타임 40 주
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 비재고 리드 타임 36 주
최소: 136
배수: 136

Alliance Memory DRAM DDR1, 64MB, 2M X 32, 2.5V, 144 BGA, 200MHZ, INDUSTRIAL TEMP - Tray 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1

Alliance Memory DRAM SDRAM, 64Mb, 2M X 32, 3.3V, 90-ball BGA, 166 MHz, Commercial Temp - Tray 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1
Alliance Memory DRAM DDR1, 128MB, 4M X 32, 2.5V, 144BGA, 200MHZ, COMMERCIAL TEMP - Tray 비재고 리드 타임 20 주
최소: 189
배수: 189

Alliance Memory DRAM SDRAM, 128Mb, 4M x 32, 3.3V, 90-ball BGA, 166 MHz, Commercial Temp - Tray 비재고 리드 타임 20 주
최소: 190
배수: 190
Alliance Memory DRAM LPDDR1, 2G, 64M x 32, 1.8v, 200 MHz 90-BALL FBGA, Commercial Temp - Tray 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1