회로 보호 장치

Bourns는 퓨즈, PTC 서미스터, 배리스터, GDT, 재설정 가능한 열 차단, 서지 보호 장치, 하이브리드 보호 장치, 이산 반도체 솔루션 등을 포함한 광범위한 회로 보호 기술을 제조하고 제공합니다. 안정적인 서지 보호 기능은 가전 제품, 산업/통신 장비, 자동차, 배터리 충전/에너지 저장 인프라, 재생 에너지 수확 에코시스템의 작동 안정성을 보장하는 데 도움이 되는 중요한 설계 고려 사항입니다.

사이리스터의 유형

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결과: 183
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Bourns TSPD(사이리스터 서지 보호 장치) Sidacs Very Low Volt Bidirectional 9,422재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

TSPDs SMD/SMT DO-214AA-2
Bourns TSPD(사이리스터 서지 보호 장치) 58V 600mA 12,997재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

TSPDs SMD/SMT DO-214AA-2
Bourns TSPD(사이리스터 서지 보호 장치) 15V (DRM) 500A (IPP) 30V (B 23,888재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

TSPDs SMD/SMT DO-214AA-2
Bourns SCR Dual P Gate Forward Conducting 12,036재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

SCRs SMD/SMT SOIC-8
Bourns TSPD(사이리스터 서지 보호 장치) 275V 600mA 11,505재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

TSPDs SMD/SMT DO-214AA-2
Bourns TSPD(사이리스터 서지 보호 장치) BI-DIRECTIONL PRTCTR 300volts 8,340재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

TSPDs SMD/SMT DO-214AA-2
Bourns SCR Dual P Gate Forward Conducting 10,886재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

SCRs SMD/SMT SOIC-8
Bourns TSPD(사이리스터 서지 보호 장치) 58V 600mA 8,240재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

TSPDs SMD/SMT DO-214AA-2
Bourns TSPD(사이리스터 서지 보호 장치) BI-DIRECTIONL PRTCTR 120volts 8,461재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

TSPDs SMD/SMT DO-214AA-2
Bourns TSPD(사이리스터 서지 보호 장치) 160V(DRM) 500A (IPP) 220V(B 3,149재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

TSPDs SMD/SMT DO-214AA-2
Bourns TSPD(사이리스터 서지 보호 장치) 120V 11,304재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

TSPDs SMD/SMT DO-214AA-2
Bourns TSPD(사이리스터 서지 보호 장치) PROTECTOR - SINGLE BIDIRECTIONAL 11,050재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

TSPDs SMD/SMT DO-214AA-2
Bourns TSPD(사이리스터 서지 보호 장치) PROTECTOR - SINGLE BIDIRECTIONAL 9,082재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

TSPDs SMD/SMT DO-214AA-2

Bourns SCR 190VDRM 250 VBO Bi-Directional 8,777재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

SCRs SMD/SMT DO-214-2 (SMB)
Bourns TSPD(사이리스터 서지 보호 장치) 65V 5,259재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

TSPDs SMD/SMT DO-214AA-2
Bourns TSPD(사이리스터 서지 보호 장치) 320Vdrm 395 V(BO) 14,950재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

TSPDs SMD/SMT DO-214AA-2
Bourns TSPD(사이리스터 서지 보호 장치) 275V 6,863재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

TSPDs SMD/SMT DO-214AA-2
Bourns TSPD(사이리스터 서지 보호 장치) 200V(DRM) 600A (IPP) 265V(B 13,308재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

TSPDs SMD/SMT DO-214AA-2
Bourns TSPD(사이리스터 서지 보호 장치) Forward Conducting Unidirectional 2,372재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

TSPDs SMD/SMT DO-214AA-2
Bourns TSPD(사이리스터 서지 보호 장치) Very Low Volt Bidirectional 9,296재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

TSPDs SMD/SMT DO-214AA-2
Bourns TSPD(사이리스터 서지 보호 장치) Very Low Voltage Bidirectional 20,369재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

TSPDs SMD/SMT DO-214AC-2
Bourns TSPD(사이리스터 서지 보호 장치) Very Low Volt Bidirectional 10,533재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

TSPDs SMD/SMT DO-214AA-2
Bourns TSPD(사이리스터 서지 보호 장치) 65V 600mA 8,403재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

TSPDs SMD/SMT DO-214AA-2
Bourns TSPD(사이리스터 서지 보호 장치) BI-DIRECTIONL PRTCTR 180volts 6,878재고 상태
12,000예상 2026-03-02
최소: 1
배수: 1
: 3,000

TSPDs SMD/SMT DO-214AA-2
Bourns TSPD(사이리스터 서지 보호 장치) 190V(DRM) 600A (IPP) 250V(B 25,719재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

TSPDs SMD/SMT DO-214AA-2