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Johanson Technology QEDB101Q511G1GV001E
Johanson Technology 실리콘 RF 커패시터/박막 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 510pF 2% Ni/Sn 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Johanson Technology QEDB101Q511G1GV002E
Johanson Technology 실리콘 RF 커패시터/박막 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 510pF 2% Ni/Sn AEC-Q200 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Johanson Technology QEDB101Q511G3GU001E
Johanson Technology 실리콘 RF 커패시터/박막 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 510pF 2% Cu/Sn 비재고 리드 타임 18 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Johanson Technology QEDB101Q511G3GV001E
Johanson Technology 실리콘 RF 커패시터/박막 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 510pF 2% Ni/Sn 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000
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Johanson Technology QEDB101Q511G3GV002E
Johanson Technology 실리콘 RF 커패시터/박막 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 510pF 2% Ni/Sn AEC-Q200 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
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Johanson Technology QEDB101Q511J1GU001E
Johanson Technology 실리콘 RF 커패시터/박막 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 510pF 5% Cu/Sn 비재고 리드 타임 18 주
최소: 2,000
배수: 2,000
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Johanson Technology QEDB101Q511J1GV001E
Johanson Technology 실리콘 RF 커패시터/박막 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 510pF 5% Ni/Sn 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
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Johanson Technology QEDB101Q511J1GV002E
Johanson Technology 실리콘 RF 커패시터/박막 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 510pF 5% Ni/Sn AEC-Q200 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000
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Johanson Technology QEDB101Q511J3GU001E
Johanson Technology 실리콘 RF 커패시터/박막 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 510pF 5% Cu/Sn 비재고 리드 타임 18 주
최소: 2,000
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Johanson Technology QEDB101Q511J3GV001E
Johanson Technology 실리콘 RF 커패시터/박막 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 510pF 5% Ni/Sn 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
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Johanson Technology QEDB101Q511J3GV002E
Johanson Technology 실리콘 RF 커패시터/박막 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 510pF 5% Ni/Sn AEC-Q200 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
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Johanson Technology QEDB101Q511K1GU001E
Johanson Technology 실리콘 RF 커패시터/박막 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 510pF 10% Cu/Sn 비재고 리드 타임 18 주
최소: 2,000
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Johanson Technology QEDB101Q511K1GV001E
Johanson Technology 실리콘 RF 커패시터/박막 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 510pF 10% Ni/Sn 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000
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Johanson Technology QEDB101Q511K1GV002E
Johanson Technology 실리콘 RF 커패시터/박막 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 510pF 10% Ni/Sn AEC-Q200 비재고 리드 타임 16 주
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Johanson Technology QEDB101Q511K3GU001E
Johanson Technology 실리콘 RF 커패시터/박막 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 510pF 10% Cu/Sn 비재고 리드 타임 18 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Johanson Technology QEDB101Q511K3GV001E
Johanson Technology 실리콘 RF 커패시터/박막 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 510pF 10% Ni/Sn 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Johanson Technology QEDB101Q511K3GV002E
Johanson Technology 실리콘 RF 커패시터/박막 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 510pF 10% Ni/Sn AEC-Q200 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000
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Johanson Technology QEDB101Q561G1GU001E
Johanson Technology 실리콘 RF 커패시터/박막 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 560pF 2% Cu/Sn 비재고 리드 타임 18 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Johanson Technology QEDB101Q561G1GV001E
Johanson Technology 실리콘 RF 커패시터/박막 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 560pF 2% Ni/Sn 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Johanson Technology QEDB101Q561G1GV002E
Johanson Technology 실리콘 RF 커패시터/박막 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 560pF 2% Ni/Sn AEC-Q200 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Johanson Technology QEDB101Q561G3GU001E
Johanson Technology 실리콘 RF 커패시터/박막 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 560pF 2% Cu/Sn 비재고 리드 타임 18 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Johanson Technology QEDB101Q561G3GV001E
Johanson Technology 실리콘 RF 커패시터/박막 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 560pF 2% Ni/Sn 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Johanson Technology QEDB101Q561G3GV002E
Johanson Technology 실리콘 RF 커패시터/박막 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 560pF 2% Ni/Sn AEC-Q200 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Johanson Technology QEDB101Q561J1GU001E
Johanson Technology 실리콘 RF 커패시터/박막 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 560pF 5% Cu/Sn 비재고 리드 타임 18 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Johanson Technology QEDB101Q561J1GV001E
Johanson Technology 실리콘 RF 커패시터/박막 1111 Hi-Q NP0/C0G 100V 560pF 5% Ni/Sn 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000
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