|
|
SRAM ASYNC
Infineon Technologies CY62158G30-45BVXI
- CY62158G30-45BVXI
- Infineon Technologies
-
1:
₩15,792.8
-
비재고 리드 타임 20 주
|
Mouser 부품 번호
727-CY62158G3045BVXI
|
Infineon Technologies
|
SRAM ASYNC
|
|
비재고 리드 타임 20 주
|
|
|
₩15,792.8
|
|
|
₩14,683.2
|
|
|
₩14,242.4
|
|
|
₩13,892.8
|
|
|
보기
|
|
|
₩13,558.4
|
|
|
₩13,117.6
|
|
|
₩12,327.2
|
|
|
₩12,008
|
|
|
견적
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
SRAM ASYNC
Infineon Technologies CY62158G30-45ZSXI
- CY62158G30-45ZSXI
- Infineon Technologies
-
1:
₩15,640.8
-
비재고 리드 타임 20 주
|
Mouser 부품 번호
727-CY62158G3045ZSXI
|
Infineon Technologies
|
SRAM ASYNC
|
|
비재고 리드 타임 20 주
|
|
|
₩15,640.8
|
|
|
₩14,546.4
|
|
|
₩14,090.4
|
|
|
₩13,756
|
|
|
보기
|
|
|
₩13,421.6
|
|
|
₩12,980.8
|
|
|
₩12,205.6
|
|
|
₩11,886.4
|
|
|
견적
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
SRAM ASYNC
Infineon Technologies CY62157GE30-45BVXI
- CY62157GE30-45BVXI
- Infineon Technologies
-
1:
₩15,488.8
-
비재고 리드 타임 20 주
|
Mouser 부품 번호
727-Y62157GE3045BVXI
|
Infineon Technologies
|
SRAM ASYNC
|
|
비재고 리드 타임 20 주
|
|
|
₩15,488.8
|
|
|
₩14,394.4
|
|
|
₩13,953.6
|
|
|
₩13,619.2
|
|
|
보기
|
|
|
₩13,300
|
|
|
₩12,859.2
|
|
|
₩12,084
|
|
|
₩11,780
|
|
|
견적
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
SRAM ASYNC
Infineon Technologies CY62158GE30-45BVXI
- CY62158GE30-45BVXI
- Infineon Technologies
-
1:
₩15,792.8
-
비재고 리드 타임 20 주
|
Mouser 부품 번호
727-Y62158GE3045BVXI
|
Infineon Technologies
|
SRAM ASYNC
|
|
비재고 리드 타임 20 주
|
|
|
₩15,792.8
|
|
|
₩14,683.2
|
|
|
₩14,242.4
|
|
|
₩13,892.8
|
|
|
보기
|
|
|
₩13,558.4
|
|
|
₩13,117.6
|
|
|
₩12,327.2
|
|
|
₩12,008
|
|
|
견적
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
SRAM 8M L-Power, 2.7-3.6V 512k x 16, 48pin
- AS6C8016-55TINTR
- Alliance Memory
-
1,500:
₩17,328
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
913-AS6C8016-55TINTR
|
Alliance Memory
|
SRAM 8M L-Power, 2.7-3.6V 512k x 16, 48pin
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 1,500
배수: 1,500
:
1,500
|
|
|
|
|
MRAM(자기 메모리) Avalanche High Performance Serial P-SRAM 8Mb in WSON8 package with QSPI - 108MHz interface, 1.8V, -40 C to 85 C
- AS1008204-0108X0IWAY
- Avalanche Technology
-
1,365:
₩33,151.2
-
비재고 리드 타임 4 주
|
Mouser 부품 번호
793-10082040108X0IWY
|
Avalanche Technology
|
MRAM(자기 메모리) Avalanche High Performance Serial P-SRAM 8Mb in WSON8 package with QSPI - 108MHz interface, 1.8V, -40 C to 85 C
|
|
비재고 리드 타임 4 주
|
|
|
₩33,151.2
|
|
|
견적
|
|
|
견적
|
|
최소: 1,365
배수: 455
|
|
|
|
|
MRAM(자기 메모리) Avalanche High Performance Serial P-SRAM 8Mb in SOIC8 package with QSPI - 108MHz interface, 3V, -40 C to 85 C
- AS3008204-0108X0ISAY
- Avalanche Technology
-
1,200:
₩34,808
-
비재고 리드 타임 3 주
|
Mouser 부품 번호
793-30082040108X0ISY
|
Avalanche Technology
|
MRAM(자기 메모리) Avalanche High Performance Serial P-SRAM 8Mb in SOIC8 package with QSPI - 108MHz interface, 3V, -40 C to 85 C
|
|
비재고 리드 타임 3 주
|
|
|
₩34,808
|
|
|
견적
|
|
|
견적
|
|
최소: 1,200
배수: 300
|
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed-Automotive,Async with ECC,1M x 8,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp
- IS64WV10248EEBLL-10CTLA3-TR
- ISSI
-
1,000:
₩33,060
-
비재고 리드 타임 16 주
|
Mouser 부품 번호
870-10248EL10CTLA3TR
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed-Automotive,Async with ECC,1M x 8,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp
|
|
비재고 리드 타임 16 주
|
|
최소: 1,000
배수: 1,000
:
1,000
|
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed-Automotive,Async with ECC,1M x 8,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp
- IS64WV10248EEBLL-10CTLA3
- ISSI
-
135:
₩35,887.2
-
비재고 리드 타임 16 주
|
Mouser 부품 번호
870-10248ELL-10CTLA3
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed-Automotive,Async with ECC,1M x 8,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp
|
|
비재고 리드 타임 16 주
|
|
|
₩35,887.2
|
|
|
₩34,975.2
|
|
|
보기
|
|
|
견적
|
|
최소: 135
배수: 135
|
|
|
|
|
SRAM 8Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
- IS66WVQ2M4DALL-200BLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩2,994.4
-
재고 없음
|
Mouser 부품 번호
870-2M4DALL200BLIT
|
ISSI
|
SRAM 8Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
|
|
재고 없음
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
|
|
SRAM 8Mb, QUADRAM, 2.7V-3.6V, 133MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
- IS66WVQ2M4DBLL-133BLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩2,994.4
-
재고 없음
|
Mouser 부품 번호
870-2M4DBLL133BLIT
|
ISSI
|
SRAM 8Mb, QUADRAM, 2.7V-3.6V, 133MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
|
|
재고 없음
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 Pins, RoHS, Automotive temp
- IS64WV51216EEBLL-10B2LA3-TR
- ISSI
-
2,500:
₩38,273.6
-
비재고 리드 타임 16 주
|
Mouser 부품 번호
870-51216EL10B2LA3TR
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 Pins, RoHS, Automotive temp
|
|
비재고 리드 타임 16 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp
- IS64WV51216EEBLL-10BLA3-TR
- ISSI
-
2,500:
₩38,273.6
-
비재고 리드 타임 16 주
|
Mouser 부품 번호
870-51216EL10BLA3TR
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp
|
|
비재고 리드 타임 16 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 Pins, RoHS, Automotive temp
- IS64WV51216EEBLL-10B2LA3
- ISSI
-
480:
₩38,273.6
-
비재고 리드 타임 16 주
|
Mouser 부품 번호
870-51216ELL-10B2LA3
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 Pins, RoHS, Automotive temp
|
|
비재고 리드 타임 16 주
|
|
최소: 480
배수: 480
|
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp
- IS64WV51216EEBLL-10BLA3
- ISSI
-
480:
₩38,273.6
-
비재고 리드 타임 16 주
|
Mouser 부품 번호
870-51216ELL-10BLA3
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp
|
|
비재고 리드 타임 16 주
|
|
최소: 480
배수: 480
|
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS
- IS61WV10248EEBLL-10TLI-TR
- ISSI
-
1,000:
₩17,753.6
-
비재고 리드 타임 16 주
|
Mouser 부품 번호
870-61W1248EBLL1TLIT
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 16 주
|
|
최소: 1,000
배수: 1,000
:
1,000
|
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
- IS61WV51216EEALL-20BLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩20,687.2
-
비재고 리드 타임 16 주
|
Mouser 부품 번호
870-61W51216EALL2BIT
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 16 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS
- IS61WV51216EEALL-20TLI-TR
- ISSI
-
1,000:
₩18,224.8
-
비재고 리드 타임 16 주
|
Mouser 부품 번호
870-61W51216EALL2TIT
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 16 주
|
|
최소: 1,000
배수: 1,000
:
1,000
|
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 pins, RoHS
- IS61WV51216EEBLL-10B2LI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩20,170.4
-
비재고 리드 타임 16 주
|
Mouser 부품 번호
870-61W51216EBL1B2IT
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 pins, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 16 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Pin TSOP I, ERR1/2 pins, RoHS
- IS61WV51216EEBLL-10T2LI-TR
- ISSI
-
1,500:
₩19,486.4
-
비재고 리드 타임 16 주
|
Mouser 부품 번호
870-61W51216EBL1T2IT
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Pin TSOP I, ERR1/2 pins, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 16 주
|
|
최소: 1,500
배수: 1,500
:
1,500
|
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
- IS61WV51216EEALL-20BLI
- ISSI
-
480:
₩20,702.4
-
비재고 리드 타임 16 주
|
Mouser 부품 번호
870-61W51216EEALL2BI
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 16 주
|
|
|
₩20,702.4
|
|
|
견적
|
|
|
견적
|
|
최소: 480
배수: 480
|
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS
- IS61WV51216EEALL-20TLI
- ISSI
-
135:
₩20,854.4
-
비재고 리드 타임 16 주
|
Mouser 부품 번호
870-61W51216EEALL2TI
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 16 주
|
|
|
₩20,854.4
|
|
|
₩20,520
|
|
|
₩20,018.4
|
|
|
견적
|
|
|
견적
|
|
최소: 135
배수: 135
|
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 pins, RoHS
- IS61WV51216EEBLL-10B2LI
- ISSI
-
480:
₩20,185.6
-
비재고 리드 타임 16 주
|
Mouser 부품 번호
870-61W51216EEBL1B2I
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 pins, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 16 주
|
|
|
₩20,185.6
|
|
|
견적
|
|
|
견적
|
|
최소: 480
배수: 480
|
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
- IS61WV51216EEBLL-10BLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩15,549.6
-
비재고 리드 타임 16 주
|
Mouser 부품 번호
870-61W51216EEBL1BIT
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 16 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 pins, RoHS
- IS61WV10248EEBLL-10B2LI
- ISSI
-
480:
₩20,626.4
-
비재고 리드 타임 16 주
|
Mouser 부품 번호
870-61WV10248BL1B2LI
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 pins, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 16 주
|
|
최소: 480
배수: 480
|
|
|
