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STD8N65M5

Name: STMicroelectronics STD8N65M5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD8N65M5
Price: 4736 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

511-STD8N65M5

제조업체 번호:

STD8N65M5

제조업체:

STMicroelectronics

설명:

MOSFET N-Ch 650V 0.56 Ohm MDmesh M5 7A 710VDss

설계 완성하기

데이터시트:

STD8N65M5 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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재고 상태: 1,872

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최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

포장:

전체 릴(2500의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩4,736	₩4,736
	₩3,078.4	₩30,784
	₩2,190.4	₩219,040
	₩1,864.8	₩932,400
	₩1,716.8	₩1,716,800
전체 릴(2500의 배수로 주문)
	₩1,716.8	₩4,292,000

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	STMicroelectronics
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	DPAK-3 (TO-252-3)
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	650 V
Id - 연속 드레인 전류:	7 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	560 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 25 V, 25 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	3 V
Qg - 게이트 전하:	15 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	70 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	MDmesh
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	STMicroelectronics
구성:	Single
COA(최종 조립 국가):	Not Available
COD(확산 공정 국가):	Not Available
COO(원산지):	CN
제품 유형:	MOSFETs
시리즈:	Mdmesh M5
팩토리 팩 수량:	2500
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
단위 중량:	330 mg

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

STD8N65M5 데이터시트 (PDF)

PCN

KRHTS:: 8541299000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

N-channel Power MOSFETs

STMicroelectronics offers a variety of new high-performance N-channel power MOSFETs. The STmicroelectronics STD8N65M5 and STP8N65M5 are N-channel 650V, 0.56Ω, 7A MDmesh™ V power MOSFETs. The STD8N65M5 comes in a DPAK package while the STP8N65M5 comes in a TO-220. The STL17N3LLH6 is an N-channel 30V, 17A STripFET™ VI DeepGATE power MOSFET that exhibits the lowest on-resistance in a standard package. The STMicroelectronics STL85N6F3 N-channel, 60V STripFET™ 2 power MOSFET shows extremely high packing density for low on resistance, rugged avalanche characteristics, and low gate charge. The STP34NM60N N-channel second generation MDmesh MOSFET features low input capacitance and gate charge, making it suitable for the most demanding high efficiency converters.

N-channel MDmesh V Power MOSFET

STMicroelectronics 550 and 650V MDmesh M5 series of super-junction Power MOSFETs offer outstanding R_DS(on) values to significantly reduce losses in line-voltage PFC circuits and power supplies. This in turn enables new generations of electronic products to offer greater energy savings, superior power density, and more compact applications. This new technology will help product designers tackle emerging challenges such as the high-efficiency targets of new eco-design directives, and will also benefit the renewable energy sector by saving vital watts normally lost in power-control modules.